摘要：针对物联网融合网络环境中多种敏感信息的保护问题,定义敏感信息全局生命期的若干特征属性,设计相关规则标记敏感信息动态安全级别,度量特征属性与实时泄露场景的关联性,进而采用基于身份的加密方法(IBE)对敏感信息部署加密方案,最后在中间层及应用层部署补丁分发机制预防感知层的防护失效,从而实现敏感信息在全局生命期中面向泄露场景的安全防护模型。实验针对3种异构网络环境下敏感信息的泄露场景进行测试,加密算法安全性较高且系统开销较低。

摘要：为解决认知无线电网络(CRN)的可持续供电问题和改善其通信效率,面向Overlay场景,提出了智能反射面(IRS)辅助的高效多模式融合传输方案。特别地,次发射机(ST)可以在反向散射通信(BackCom)和收集再传输(HTT)模式间切换,IRS被用以提升ST的能量采集、信息被动反射和信息主动传输效率。为了最大化系统和速率,定义了关于IRS相移、时隙调度和发射功率的联合优化问题。由于所定义的问题是非凸的,因此通过设计基于块坐标下降(BCD)的迭代优化算法获得了次优解。仿真结果表明,相较于参照方案,所提方案最多可将系统和速率提高200%。

摘要：采用标准0．18μmCMOS工艺，设计了一种连续速率时钟与数据恢复（CDR）电路。该CDR电路主要由半速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵和判决电路等模块组成。其中，半速率鉴频鉴相器主要由四个双边沿触发器组成，结构简单，功耗和面积相应降低。多频带环形压控振荡器同时满足了较宽的调谐范围和较低的调谐增益，可以解决高振荡频率和低调谐增益之间的矛盾。电荷泵采用增益自举共源共栅放大器和互补开关电路结构，减小了各种非理想因素的影响。并行判决电路实现数据的1：2分接输出。仿真结果表明，该CDR电路能正常恢复622～3125Mbit／s的伪随机数据。版图尺寸为691μm×543μm。在1．8V电源电压下，输入伪随机速率3125Mbit／s时，功耗为120mW，恢复出的数据和时钟的抖动峰峰值分别为5．18和4．41ps。

摘要：采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复（CDR）电路。该CDR电路主要由全速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵等模块组成。其中,全速率鉴频鉴相器不但具有很好的鉴频鉴相功能,而且结构简单,减小了功耗和面积。多频带环形压控振荡器不但调谐范围很宽,而且引入到环路中的调谐增益较低,解决了高振荡频率和低增益之间的矛盾问题。采用自举基准和运放的电荷泵减小了各种非理想因素的影响。仿真结果表明,该CDR电路版图尺寸为265μm×786μm,功能正常,且能恢复622~3 125Mb/s之间的伪随机数据;在1.8V电源电压下,输入伪随机速率为3 125Mb/s时,功耗为100.8mW,恢复出的数据和时钟的抖动峰峰值分别为5.38ps和4.81ps。

摘要：给出了一种基于滑模控制(SMC)方法的分布式多无人机编队控制策略.首先,基于齐次性方法设计了一个分布式的滑模面,使得在滑模面上的多无人机系统能够实现有限时间编队.其次,设计滑模控制器,使得系统状态能够在有限时间内到达滑模面,同时还能对系统中存在的有界扰动进行补偿.再次,假设扰动未知且在不可建模的情况下,利用自抗扰的扩张状态观测器(ESO)对扰动进行估计并补偿.最后,仿真实验验证了所提方法的有效性.

摘要：根据地理标记语言(GML)的应用需求,设计一种基于简单访问接口的GML数据解析方法。定义GML应用语义块,借助Xerces软件包分析GML模式,通过递归算法对GML标签进行语义判读。基于Adapter模式构建事件解析驱动,实现GML语义块数据的读取。实验结果表明,该方法可实现GML数据的查询、索引和可视化。

摘要：采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于UHF RFID接收机的双模低噪声放大器,用以满足侦听模式和阅读模式对接收机的不同需求。该低噪声放大器通过一种开关可控双模偏置电路,使其在高增益与高线性度两种模式间进行自由切换;运用复制型偏置技术,抑制了PVT变化对电路的影响;采用共模反馈技术和交叉耦合电容技术,改善了电路的线性度和噪声性能。仿真结果表明,在PVT变化的情况下,高增益模式时,放大器的增益(S21)达到11dB,输入匹配(S11)为-16.1dB,噪声系数(NF)为2.75dB,P1dB为-11.2dBm;高线性度模式时,增益(S21)达到4.2dB,输入匹配(S11)为-16.9dB,噪声系数(NF)为3.52dB,P1dB为0.35dBm。

摘要：采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种可编程分频器。基于基本分频单元的特殊结构,对除2/除3单元级联式可编程分频器的关键模块进行改进,将普通的CML型锁存器集成为包含与门的锁存器,提高了电路的集成度,有效地降低了电路功耗,提升了整体电路速度,并使版图更为紧凑。后仿真结果表明,在1.8V电源电压,输入频率fin=1GHz的情况下,可实现任意数且步长为1的分频比,相位噪声为-173.1dBc/Hz@1 MHz,电路功耗仅为9mW。

摘要：基于具体的系统需求,采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种半速率bang-bang型时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由改进型半速率鉴相器、带粗控端的环形压控振荡器(VCO)以及信道选择器等模块构成。其中,改进型半速率鉴相器通过增加四个锁存器,不但能获得较好的鉴相性能,还能使分接输出的两路数据自动实现相位对齐。带粗控端的环形VCO能够解决高振荡频率范围需求与低调谐增益需求之间的矛盾。信道选择器则能解决信道交叉出错问题。仿真结果表明,电路工作正常,在1.8V电压下,电路功耗为140mW,恢复出的时钟和数据抖动峰峰值分别为3.7ps和5ps。

摘要：【目的】为了在纳米尺度下实现高灵敏度折射率传感器设计,文章提出了一种含支节的方形复合谐振腔侧向耦合金属-电介质-金属(MDM)型表面等离子激元(SPPs)波导的传感器结构。【方法】文章采用有限元法对比分析了引入支节腔前后方形谐振腔耦合MDM波导结构的透射峰谱线及谱峰位置模场分布的特点,揭示了引入支节腔后复合腔内一阶和二阶谐振模式的简并分离效应以及由此产生的具有非对称线型的四重Fano共振透射峰。通过改变谐振腔边长及支节长度等结构参数以及复合腔内填充媒质的折射率参数,计算出了透射谱线特征与谐振腔结构参数及媒质材料性质之间的依赖关系。【结果】通过分析结构参数对MDM波导透射谱峰中心波长的定量影响,文章阐明了透射谱峰波长所需满足的谐振条件以及支节腔对于不同谐振模式所具有的不同腔长增量。文章通过计算复合腔内不同填充介质对应的透射谱线,得到了谱峰中心波长随填充媒质折射率的改变呈现近似线性变化的规律,基于线性拟合结果计算出了四重Fano共振透射峰的传感灵敏度指标。【结论】计算结果表明,折射率传感灵敏度与复合腔有效腔长成正比,同时与谐振阶次成反比;当选取边长为360 nm且支节长度为210 nm的方形复合腔结构时,一阶Fano共振透射峰的传感灵敏度可达2000 nm/RIU。文章研究结果为高灵敏度折射率传感器的设计提供了有价值的参考。