摘要：提出了自适应脉冲微扰控制混沌系统的方法.在参量脉冲微扰中引入自适应控制策略,设计出可以产生合适的脉冲强度的自适应控制器来实现混沌控制.采取这种方法对混沌的Rssler连续系统和H?non离散映射实施仿真控制,能够将系统稳定到不同的周期轨道或不动点上;并且,数值仿真结果还表明该控制方法具有较强的鲁棒性.

摘要：该文提出了一种基于群体协作的计算模型。该模型首先将输入的数据单元建模成微观个体,然后基于求解目标设计个体间的协作规则,最后通过个体在协作过程中涌现出的宏观现象来得到全局最优解。通过运用群体协作模型求解具有NP-完全复杂度的最优图着色问题,结果表明该模型的性能优于若干启发式方法,并且得到如下结论:1)如果算法的动力学特征类似于混沌边缘现象,则算法能够在线性或亚线性时间复杂度求解问题。2)如果算法的动力学特征呈现出完全随机性或强收敛性,则算法将退化成蛮力搜索。

摘要：面向智慧城市无线视频传感网络建设的需要,提出了一种三值量子遗传算法,用于求解网络优化覆盖中的节点部署问题。算法以二维离散网格模型描述监视区,用编码描述矩阵刻画监视区域,并采用七元组模型描述有向无线视频传感器。用三值量子遗传算法搜索解空间,通过合理设计染色体编码,优化三值量子旋转门参数,使得算法的运算速度快,收敛性好。引入理想覆盖率和理想加权覆盖率两个极限值,采用相对比较法评判算法优劣。仿真实验表明,算法获得的节点部署方案能很好逼近理想极限值。

摘要：用密度泛函理论B3LYP方法研究了二元铜族团簇负离子AuAg-,AuCu-和AgCu-催化CO氧化反应的详细机理.计算结果表明:CO在混合团簇中的吸附位顺序为Cu>Au>Ag;O2也优先吸附到Cu上,其次为Ag,最难的为Au;另外,O2分子较CO分子易于吸附到混合团簇上.CO氧化反应有三条反应通道,在热力学和动力学上均容易进行.AuAg-团簇催化CO氧化反应的最优反应通道为CO插入AuAgO2-中的Ag―O键形成中间体[Au―AgC(O―O)O]-,然后直接分解形成CO2和AuAgO-,或另一个CO分子进攻中间体[Au―AgC(O―O)O]-形成两分子的CO2和AuAg-.而AuCu-和AgCu-催化CO氧化反应的最优反应通道为CO和O2共吸附到团簇上,然后形成四元环中间体,最后四元环中间体分解形成产物或另一个CO分子进攻四元环中间体从而形成产物.第二个CO分子的协同效应不明显.AuAg-和AuCu-对CO氧化反应催化活性强于Au2-团簇,因此,Ag和Cu掺杂可以提高金团簇的催化活性,与之前实验研究结果一致.

摘要：相关功耗分析方法是模幂算法最常用的攻击方法之一,当设计中使用底数和指数双重掩码防护措施时,现有的相关功耗分析无法使用。采用高阶相关功耗分析可以对这类防护措施实施有效攻击,但会带来噪声、降低攻击准确率,并且攻击过程中分类方法采用人工观察设定阈值方式,攻击效果严重依赖于攻击者的经验。针对以上问题,提出了一种基于聚类相关功耗分析攻击方法,利用模乘之间功耗的相关性特征差异,评估功耗点有效度,提高有效信息利用率,降低噪声和人工参与过程。实验结果表明,针对双层掩码的模幂防范算法,聚类相关功耗分析与现有策略相比,攻击效率和算法通用性得到提升,400条功耗曲线攻击准确率收敛于1。

摘要：六合正长斑岩是滇西新生代富碱斑岩的典型代表,以发育各类深浅不一的岩石包体而闻名,其中包括了同期的花岗岩包体;主岩和包体所蕴含的深部地质过程对于富碱岩浆的形成和演化具有重要约束作用。本文以六合正长斑岩和其中花岗岩包体的锆石微量元素地球化学为研究重点,结合主岩主量元素、锆石U-Pb年龄、Ti温度、锆石氧逸度的对比研究,分析和探讨富碱岩浆的形成和演化过程。研究表明:锆石U-Pb年龄所限定的六合富碱岩浆活动时限为(37.89±0.96)^(35.87±0.58) Ma;而花岗岩包体代表的同期富硅酸性岩浆活动时限为(38.21±0.44)^(36.21±0.36) Ma;两者几乎同步活动。锆石微量元素成因判别图显示主岩锆石主要位于钾镁煌斑岩范围,暗示富碱岩浆源区具地幔属性;花岗岩包体锆石大多位于花岗岩范围,两者在花岗岩范围有部分重叠,证实了主岩锆石和花岗岩包体锆石结晶时存在共同的生长环境。Ce^(Ⅳ)/Ce^((Ⅲ))比值估算和Ti温度计算显示,在36.42~36.41Ma范围内富碱岩浆氧逸度和锆石结晶温度发生突变,指示在该时限内富碱岩浆及所裹挟的花岗质岩浆发生了混合作用;氧逸度的振荡降低反映了后期幔源岩浆的补充。综合研究认为,六合地区来自富集地幔的喜山期富碱岩浆底侵熔化上覆深部地壳长英质岩石形成花岗质岩浆,随即以富碱岩浆为主与少量花岗质岩浆不均一混合并同步结晶成岩形成含有花岗岩包体的正长斑岩。

摘要：针对电子系统,尤其是模拟电路的早期故障诊断是重要却又困难的问题,提出一种基于隐马尔可夫模型(HMM)的模拟电路早期故障诊断方法.首先提取出模拟电路的电压特征;然后用改进的线性辨别分析法(LDA)对电压特征进行降维并消除其冗余,采取一些改进措施来消除LDA的不足;最后将改进LDA提取的特征构成多个观测序列并用于训练和测试HMM,以实现模拟电路的早期故障诊断.将该方法与其他方法进行比较的实验结果表明,其具有良好的故障识别能力.

摘要：设计了大规模计算流体动力学(CFD)流场可视化分析系统(FVAS),系统具有完善而实用的大规模三维定常和非定常流场数据预处理与特征提取、体绘制、几何图形(流线、等值面等)绘制、纹理绘制等功能,并提供多种数据分析手段和良好的交互方法.通过8种展示方式、3种显示模式以及5种视图类型展示流场数据内外流结构特征及其复杂的物理现象.同时系统针对时变数据提供动画展示功能并支持单机多核并行.案例分析表明该系统简单实用,通用性高,多种混合绘制技术能够有效展现燃烧室、进气道等流场数据内部反应情况,切面、剖分等交互方式多视图显示局部细节特征,并通过图表、曲线图等分析工具统计分析具体网格单元的信息.完成测试案例300例,与传统CFD软件相比提升70%以上的绘制效率,系统故障率为0.6%,功能事务成功率100%,有效加速对流场数据的分析统计过程.

摘要：在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子和自旋向下电子的渡越时间差会在两铁磁层相对磁矩夹角为π/2和3π/2附近出现一个极小值.当中间层为绝缘体层时,势垒高度的变化会导致不同取向的自旋极化电子渡越时间差的变化,并当势垒高度超过一临界值时发生翻转.

摘要：采用扩散共渗的方法在TC4合金表面制备了Zr增效硅化物涂层,研究了涂层在600℃时的摩擦磨损性能,讨论了其磨损机制。结果表明:所制备的涂层具有多层结构,由(Ti,X)Si_2(X代表Zr,Al和V)外层,Ti Si中间层和Ti_5Si_4+Ti_5Si_3内层组成;渗剂中添加Zr能够抑制涂层的生长速率,有利于降低涂层的内应力,改善其组织致密性。涂层的硬度明显高于TC4合金,且由外向内呈梯度降低趋势。高温摩擦磨损试验结果表明,Zr增效硅化物涂层能够为TC4合金提供良好的高温磨损防护;与GCr15对磨时,涂层的表面只发生了轻微的磨损,主要为GCr15在其磨损面的擦涂和一定程度的氧化磨损;与Al_2O_3球对磨时,磨损机制为犁削磨损、疲劳磨损、黏着磨损和氧化磨损。