摘要：给出了一种嵌入式Ｍｏｎｔｇｏｍｅｒｙ模乘器的设计，它可以被嵌入到ＣＰＵ智能卡中，协同实现各类基于大数模幂乘运算的公钥保密算法。该模乘器采用ｆｉｎｅｌｙｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｐｒｏｄｕｃｔｓｃａｎｎｉｎｇ（ＦＩＰＳ）方法，使之适合于嵌入式的设计特点。各功能部件的并发执行和对分块ＲＡＭ存储器的乒乓式存取及处理大大提高了该模乘器的处理速度。在１０ＭＨｚ的时钟频率下，利用该模乘器实现５１２ｂｉｔ的模幂运算（加密指数为５１２ｂｉｔ），只需要不到４００ｍｓ。

摘要：为了推广开关电流电路技术（ＳＩ）的应用，引用了新型的两步采样开关电流技术（Ｓ２Ｉ），对该电路中减小时钟馈漏效应的几种方法进行了分析。利用差分平衡结构的Ｓ２Ｉ存储单元设计了平衡Ｓ２Ｉ积分器，并在此基础上设计出一种平衡差分结构的二阶ΣΔ调制器。该调制器能够完全与标准ＣＭＯＳ数字工艺兼容。利用标准１．２μｍ数字ＣＭＯＳ工艺的ＨＳＰＩＣＥ模型参数进行模拟，并用ＭＡＴＬＡＢ对ＨＳＰＩＣＥ输出结果进行了分析，验证了ΣΔ调制器的功能。

摘要：指针是一种重要的数据类型 ,使用指针能使程序更加有效和优美 .可是指针却以不易驾御而闻名 ,至今在时序逻辑语言中未见到对它的形式化工作 .XYZ/E既是一个时序逻辑系统也是一个程序设计语言 ,它能表示普通高级语言中几乎所有的重要机制 .本文主要讨论在时序逻辑语言 XYZ/E中指针的形式化表示问题以及在结构化 XYZ/SE程序中指针的验证问题 .

摘要：为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性和器件物理研究。得到结果：０．５ＶＧＢＣ－ＭＯＳＦＥＴ具有陡直的亚阈特性（１０倍电流的Ｓ因子为～６０ｍＶ），高的电流驱动能力和理想的逻辑摆幅，栅衬泄漏电流可以忽略；超浅源漏、非均匀纵横向掺杂的Ｅｘｐｏｃ结构在ＧＢＣ模式下栅长直到５０ｎｍ时，仍有很好的Ｖｔｈ可控制性，这一结构的０．５ＶＧＢＣ－ＭＯＳＦＥＴ与１Ｖ常规ＭＯＳＦＥＴ在宽广的阈值电压设计空间中具有相似的速度品值；其理想栅氧厚度为３ｎｍ。

摘要：随着大规模网络的建设和应用，网络管理问题变得越来越重要．由于传统的集中式的网络管理模式已越来越难以胜任这项工作，人们及时地提出了分布式网络管理的概念．该文论述了一个基于Ｗｅｂ的分布式网络实时监控系统（ＷｅｂＲＭｏｎｉｔｏｒ）的总体结构及系统实现的关键技术：数据采集模块的设计与实现和实时数据的可视化表示等．

摘要：本文以国家“九五”重点科技攻关项目（９６－７５０）“计算机辅助教学软件的研制与开发”０３子专题中“小学语文智能化扩展阅读”软件的设计为例，论述了智能教学软件开发的基本方法与步骤，说明ＣＡＩ软件的开发应以现代学习理论为指导，结合学科教学的特点，进行详细的教学设计。

摘要：研究了不同磺化度的聚醚砜血液透析膜材在体外静态接触人血清时吸附去除其中的β2-微球蛋白(β2-microglobulin,β2M)的能力。采用放免法测定了膜分别在125I-β2溶液和在人血清中,在37℃孵育不同时间后对125I-β2M和β2M的吸附进行了对比分析。结果:膜材对125I-β2M的饱和吸附百分率由大到小依次是PES-SO3Na->PES-SO3Na->>PES;但在血清孵育体系中,不同材料对β2M的吸附均在30min达到最大吸附值,最后稳定的吸附量由大到小依次是PES-SO3Na->PES-SO3Na->PES。说明通过用膜吸附方式去除β2M是一种有效的方法。对PES进行磺化改性可大大提高材料对β2M的吸附去除量,而且随着磺化度增加,膜吸附β2M的量增加。本研究合成出的PES-SO3Na可能用于去除患者体内的β2M和降低、延缓透析相关淀粉样变性病的发生。

摘要：采用全过程仿真粘弹性空间有限单元法对接缝灌浆水管冷却问题进行了计算研究 ,对冷却水温、冷却延续天数进行了敏感性分析 ,提出了只进行一期水管冷却 ,并在适当“超冷”情况下进行大坝接缝灌浆的建议 ,不但简化了施工步序 ,也有利于大坝的整体性 ,计算研究结果可供混凝土坝施工设计参考应用 .

摘要：为了能研制新型超薄快速连续轧机的浇嘴系统，分析其内部铝液的液动状况，建立其流动的数学模型，对现有浇嘴系统提出改造方案，根据国内某厂的资料和参数，设计并制造了浇嘴系统模型，通过在模型腔内适当设置纵向和横向阻流坝的水模拟研究，优化了浇嘴内部的结构，为铝液流动数学模型的建立提供了数据，并提出了改造方案．

摘要：对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏（ＬＤＤ）ＭＯＳＦＥＴ性能进行研究。制作出常规及ＬＤＤ深亚微米ＭＯＳＦＥＴ。数值模拟和实测发现，对于深亚微米常规ＮＭＯＳＦＥＴ，只要设计适当，可在关态电流被限制在允许的条件内，利用降低工作电压减小热载流子效应以保证同样的可靠性，而其性能则可以高于需用更高工作电压的相同沟道长度ＬＤＤ器件，从而有利于器件面积的减小和工作功耗的降低。即使对于已经实际生产的０．５μｍ及０．３５μｍ沟道的器件情况也是如此。