摘要：内存泄漏是程序设计中经常出现的问题,会降低系统性能,甚至耗尽内存空间导致系统崩溃。文章采用反射和开放编译技术,对开放编译器OpenC++进行了扩展与改进,设计并实现了一个C/C++动态内存泄漏检测工具,以帮助开发和测试人员查找内存泄漏。

摘要：基于程序源代码的设计模式自动发现是软件逆向工程的重要技术组成。以此为研究对象,提出了一种通用的设计模式自动发现框架,对该框架中的代码理解、模式表示、匹配算法等关键技术进行了研究。并在该框架下,分析比较了国际上三种先进解决方案在以上各技术方面的实现方法和各自特点。并对该项技术的发展前景进行了展望。

摘要：提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43·8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中.

摘要：提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规 LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准 CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件 MEDICI分析了 n埋层的浓度、长度和 p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.

摘要：近年来,许多组织面临着遗产系统的理解和演化问题,理解和演化遗产系统的问题在软件研究领域越来越重要。逆向工程通过提供一个对目标系统的设计和总体结构的较好的理解来辅助遗产系统的演化,是解决遗产系统问题的关键技术。文中介绍了逆向工程的定义,综述了逆向工程分析技术的研究进展,探讨了分析技术研究存在的不足之处,给出了未来的发展趋势。

摘要：研究了逆向工程中动态剧情的模式发现以及抽象问题。提出并实现了动态剧情中交互模式的自动发现、交互层次的自动恢复以及基于类图的设计模式识别,并实现了以此为依据对动态剧情的抽象。同时,使用 Rational Rose的扩展机制,将以上功能无缝嵌入到 Rose 开发环境中,从而使逆向工程分析工具 XDRE 具备了在可视环境下以不同抽象层次、不同侧面观察和分析目标系统行为的功能。