摘要：研究了NbC颗粒增强钴基耐磨材料在950~1050℃空气中的氧化行为。合金在950℃下属于抗氧化级,1000℃下属于次抗氧化级,1050℃下属于弱抗氧化级,氧化动力学曲线基本符合抛物线规律。合金表面形成由CoCr_(2)O_(4)、CoNb_(2)O_(6)、Cr_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)组成的混合氧化物层,基体中块状NbC的优先原位氧化行为造成氧化层厚度不均匀且疏松多孔。经过1050℃,100 h氧化后,氧化层下方基体中形成贫Cr层,导致氧化皮剥落后无法重新形成具有保护作用的连续氧化膜。

摘要：采用原位红外光谱法跟踪研究了酚醛型氰酸酯树脂的固化反应过程,获得了树脂固化反应过程中各基团的转化率与时间的关系,并对各固化阶段中基团的转化进行了分析,以指导酚醛型氰酸酯树脂的固化工艺制度的优化,最后确定其固化制度为120℃2h+150℃2h+180℃3h+200℃2h+250℃2h+300℃2h,实验证明该固化制度下树脂固化物力学性能与传统的酚醛树脂相当,且耐热性能更优异。

摘要：为将某一幅度的核辐射探测器模拟脉冲信号转为数字逻辑信号以供后续电路记录和处理,本文在研究普通单道脉冲幅度分析器电路的时序逻辑的基础上,利用较少集成芯片设计了一种新型的单道脉冲幅度分析器电路,并且进行了电路实验验证。实际实验结果表明,该电路不仅可以实现单道脉冲幅度分析器的功能,且能够在输入正弦脉冲信号频率达1.1 MHz时正常工作。

摘要：为了确定涂硼正比计数管的最优性能参数,运用Diethorn公式,对4种不同设计的涂硼圆柱正比计数管的倍增系数、阴阳极尺寸、电场强度分布、气体压强和最小工作电压这些参数进行了研究。结果表明:电子倍增发生在阳极附近几十μm的范围内,阳极丝直径的减小可导致周围电场强度加大,最小工作电压随阴阳极直径增加而提升,充气压力的降低也会使倍增系数变大。确定涂硼正比计数管的最优设计方案为:阳极为半径6μm镀金钨丝、阴极为半径30 mm不锈钢合金、工作电压为1 000 V、填充气体为0.6×105Pa的95%Ar+5%CH4(P5)。

摘要：低死时间单道脉冲幅度分析器电路在输入高频信号时产生自激现象,且电路本身还存在峰位检测输出信号延迟、逻辑芯片误触发的问题,导致单道无法正常工作。针对这些问题,在低死时间单道设计原理的基础上进行了电路优化,主要改善了有源微分电路,增加了延迟电路,以及单稳态成形电路,并进行了实验验证。实验结果表明,该优化电路不仅可行,而且能够在输入正弦波信号频率高达2.2MHz时正常稳定工作。

摘要：文章的主要目的是研究一种更好的多点源核料位计源项分布的计算方法。本文采用估算加修正的方法,首先建立一计算模型,根据线源的设计理论归纳出一个多点源核料位计源项分布的计算式,然后用源强补偿法和残差分析法进行非线性修正,最后将计算结果与传统的等效点源法进行对比。结果表明,新方法不仅计算简便,且得出的各项参数均优于传统方法。经过对比最终明确了估算加残差分析法是最佳的计算方法。

摘要：为满足核辐射探测器输出脉冲信号数据采集的需求,基于西门子PLC(S7-200)高速计数器HC4、HC5,研发了核脉冲计数数据采集系统。根据S7-200内嵌高速计数器原理,设计了周期脉冲计数数据采集实验,实验发现符合TTL标准的脉冲信号并不一定能被PLC高速计数器正确进行计数率测量。为此特别设计的甄别电路,满足了核辐射探测器输出信号经过放大器与甄别电路后转换为适合S7-200高速计数器HC4和HC5的输入信号。此外利用S7-200丰富的指令系统,执行核脉冲计数率连续测量和数据处理,并通过文本显示单元完成系统数据实时显示,实现了对核脉冲计数数据采集。

摘要：针对国内某款混合动力电动汽车(HEV)的结构特点,建立了车辆后碰撞有限元仿真模型,利用有限元理论分析和优化车辆的安全性能方案,对比新能源车和原型车的弯曲模态、扭转模态和扭转刚度,并通过控制动力电池箱的X向位移和后排座椅靠背上部的Z向挂钩位移,对现有的结构方案和整车后碰撞安全性进行优化和改进.结果表明,该HEV的弯曲和扭转模态、扭转刚度等接近或达到常规车辆标准.实车后碰撞试验证明,改进的安全结构完全可以满足设计要求.

摘要：正比计数管的倍增系数M涉及到正比计数管的工作电压、气体组分、阴阳极尺寸等参数,是正比计数管优化设计的关键;而第一汤姆孙系数与M值密切相关。引入约化场强的概念,分别对常用的Diethorn和Rose&Korll倍增公式进行了完整推导,明确了M与各项参数间的关系;同时也分析了二者的存在的问题并提出了修正措施,为正比计数管的优化设计提供理论依据。

摘要：金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因素和改进措施,介绍常见的制备方法,最后对金属基电子封装材料的发展趋势进行展望。