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InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响: 收藏
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引用; 《电子显微学报》2004年第4期23卷 402-402页; 作者：李超荣吕威张泽中国科学院物理研究所北京电镜实验室北京100080; 量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要...; 量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要求.另外,含N的Ⅲ-V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究.; 来源：详细信息评论

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