限定检索结果

检索条件"基金资助=国家自然科学基金重大研究计划集成项目资助项目"
44 条 记 录,以下是31-40 订阅
视图:
排序:
一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵
收藏 引用
《电路与系统学报》2013年 第1期18卷 449-452页
作者:宏潇 陈后鹏 宋志棠 刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 
设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿...
来源:详细信息评论
基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路
收藏 引用
《微电子学》2013年 第5期43卷 637-640,645页
作者:范茜 陈后鹏 许伟义 王倩 蔡道林 金荣 宏潇 李喜 陈一峰 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 
相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S...
来源:详细信息评论
一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
收藏 引用
《微电子学》2011年 第6期41卷 840-843页
作者:陈一峰 宋志棠 陈小刚 陈后鹏 刘波 白宁 陈邦明 吴关平 谢志峰 杨左娅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 微芯科技公司 中芯国际集成电路制造有限公司上海201203 
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电...
来源:详细信息评论
用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵
收藏 引用
《微电子学》2011年 第6期41卷 848-851页
作者:富聪 宋志棠 陈后鹏 蔡道林 王倩 丁晟 李喜 宏潇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 
针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2~4.8V时,输出5V电压,最大负...
来源:详细信息评论
一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计
收藏 引用
《微电子学》2012年 第3期42卷 376-379页
作者:胡佳俊 陈后鹏 王倩 蔡道林 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 
分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提...
来源:详细信息评论
全固态WO_3薄膜电致变色器件研究进展
收藏 引用
《光电子技术》2018年 第1期38卷 49-54页
作者:张巡天 张啸尘 姚日晖 宁洪龙 徐海涛华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室高分子光电材料与器件研究所广州510640 华南农业大学电子工程学院广州510642 
讨论了基本的EC器件结构设计、被广泛应用的阴极氧化物材料(WO_3)的结构以及改善其性能的一些方法和新型固体电解质材料。最后,对EC器件的未来发展做了展望。
来源:详细信息评论
一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路
收藏 引用
《电路与系统学报》2013年 第1期18卷 1-4页
作者:胡佳俊 陈后鹏 金荣 王倩 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200005 
依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于...
来源:详细信息评论
用于相变存储器的高效开关电容电荷泵
收藏 引用
《微电子学》2015年 第3期45卷 335-339,344页
作者:雷宇 陈后鹏 金荣 胡佳俊 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 
提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100ns,电荷泵的驱动能力至少为60mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模...
来源:详细信息评论
小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析
收藏 引用
《微电子学》2015年 第1期45卷 76-80页
作者:王倩 陈后鹏 张怡云 金荣 许伟义 蔡道林 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市存储器纳米制造技术重点实验室上海200050 
设计了基于1T1R结构的16kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD)。版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS工艺的融合作了优化处理,给出了提高存储单元操作电流热效率的具体...
来源:详细信息评论
基于GIS的城市地铁安全隐患管理系统设计与实现
收藏 引用
《电脑知识与技术(过刊)》2011年 第5X期17卷 3364-3365,3369页
作者:杨志国 郭晓彤 刘香怡 于素勇首都经济贸易大学安全与环境工程学院北京100070 中国安全生产科学研究院北京100029 首都经济贸易大学信息学院北京100070 首都经济贸易大学城市经济与公共管理学院北京100070 
为了避免伤亡事故带来的不良社会影响,针对城市地铁发展现状,设计开发了基于GIS的安全隐患排查信息管理系统。系统采用C/S架构、C#等语言设计。该系统的投入使用,使城市地铁运营时存在的安全隐患能被及时、有效地反映,并被迅速处理,一...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部