摘要：提出了一种用于高速差分线的新型宽带共模噪声滤波器,通过在差分信号线的参考地平面上刻蚀共面波导形式的1/4波长谐振器进行实现.建立了该结构的等效电路模型,分析结果与全波电磁仿真以及实验测量结果一致.结果表明,滤波器在3.96~8.26GHz频率范围内实现了20dB的共模噪声抑制,同时保证良好的差分信号传输特性.与已有设计相比,在尺寸、成本和性能上具有综合优势.

摘要：AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。