T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:新疆水利水电科学研究院根据新疆高效节水灌溉的发展、自动化灌溉以及我国电磁阀的发展需要,研究开发了DN110大流量直流脉冲电磁阀。通过对9个不同电磁阀隔膜深度条件下的水力性能试验的数据分析,研究了电磁阀隔膜深度偏差对电磁阀的水力性能的影响。研究结果表明:隔膜深度偏差对60~100 m3/h设计流量条件下电磁阀的水力性能影响不大,对100~140 m3/h设计流量条件下电磁阀的水力性能有影响,但隔膜深度制造偏差对电磁阀的设计流量条件下的水头损失影响不大。隔膜深度对开启压力的影响不大,而主要影响开启压力大小的因素应是隔膜材料在加工过程中的配料与加工工艺。同时我单位开发的电磁阀的最小工作压力降低到0.012~0.054 MPa之间,降低了电磁阀的开启工作压力,有利于进一步推动低压节水灌溉技术的发展。
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