摘要：分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.

摘要：基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当编程信号频率从500kHz到10 MHz变化时,输出电流变化为4.5%;当编程电阻从200Ω到10kΩ变化时,输出电流精度误差不到3%,芯片面积为0.84mm2。在高速可编程脉冲电流源的测试平台上,对相变单元进行电流编程操作,结果显示,相变电阻能够可靠地进行晶态-非晶态的高速可逆相变。

摘要：提出一种隔行到逐行自适应帧频提升算法和该算法的芯片设计方法 .该芯片采用了具有场帧检测的隔行到逐行自适应帧频提升算法 ,实现了可调的隔行到逐行帧频提升 ,而且该芯片综合应用了黑 /白电平扩展、图像边缘保持的二维滤波、彩色瞬态改善 (CTI)、色度空间转换 (CSC)、伽马校正等视频处理模块及四路嵌入式D/A等技术 ,并采用 0 .35 μmCMOS工艺 ,在TSMC流片 ,具有潜在的商业应用价值 .

摘要：光刻工艺中对热板表面的温度场均匀性有着极高的要求。在热板设计参数的选择问题上,通过使用均匀实验设计的方法,从均匀分散性的角度出发挑选代表点,并对这些代表点应用ANSYS仿真模拟软件进行分析,得到不同设计参数情况下的热板表面温度场均匀性数据。然后对代表点的仿真结果数据进行回归建模。经过验证,回归模型计算结果与仿真结果有较高的一致性。根据所得到的回归模型,热板设计人员可以方便的了解不同设计参数取值情况下的热板表面温度的均匀性,并更好的做出选择。

摘要：不同于印制电路板的制作工艺,芯片封装基板的走线更细,线间距更窄。狭小的布线空间使传输线效应更为明显,而且封装设计的好坏直接影响芯片是否可以正常工作,同时芯片成本的控制要求布线层尽量要最少。这些问题使得高速信号布线面临严峻的挑战。在国家科技重大专项的资助下,使用全波电磁场仿真工具进行建模分析,研究了布线中线宽、线间距和参考地对信号传输质量和信号间串扰的影响,并且基于一款低功耗DDR高速芯片的双层封装布线设计,在实际设计方案中对分析结果进行了仿真验证,最终得到了一种高质量、低成本封装基板高速布线方案,速率达到1 333 Mb/s。

摘要：介绍了一种应用于宽带系统中的可重构模拟基带电路.该电路采用全CMOS工艺,由低通滤波器和可变增益放大器2个模块构成.低通滤波器可通过模拟控制电压调谐转折频率,调谐范围130~430 MHz,不仅兼容了WiMedia与中国标准,而且适用于更高频率的模拟基带信号处理;跨导放大器采用适用于低电压和高频率的Nauta结构,讨论了该跨导结构的共模稳定电路的设计参数对滤波器频率准确性的影响.整个模拟基带链路可以通过数字控制调节增益,其可变增益范围0~44 dB,增益步长1 dB,适用于不同的传输距离.为了避免高链路增益情况下失调的影响,加入了直流失调校正电路,并讨论了直流失调校正电路对主电路增益准确性的影响以及优化设计.设计采用0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压.在实现可重构功能的同时,仍然拥有零增益时12.5 dBm的IIP3,在同领域处于领先水平.

摘要：设计了一款应用于电池监测芯片内的稳压模块,为芯片内部电路提供模拟电源电压与数字电源电压。通过带隙电路产生稳定的模拟电源电压,数字电源电压则通过栅源电压差叠加的方式获得。采用XFAB 0.35μm工艺模型仿真表明,在负载电流4 mA,外界电池电压10 V^60 V的宽输入电压范围内,模拟电源电压变化12 mV;在负载电流4 mA,-40℃~125℃的温度范围内,模拟电源电压变化6 mV,温漂系数为7.8 ppm/℃;数字电源电压分别变化0.12 V、0.76 V,均满足实际应用所需要的稳压要求。模块提供可靠的上电复位信号,并加入了过流保护和过温保护功能。

摘要：设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40℃～125℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875V时,温度系数为4.1×10^-6/℃,低频电源抑制比达到-70dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。

摘要：设计了一种改进型的多分辨率频谱感知电路,用于认知无线电的快速感知功能.传统基于窗函数的多分辨率频谱感知方法的探测时间和探测频谱精度相互制约,针对这个缺点,在系统架构上予以改进：通过在窗函数相关前增加可重构滤波器进行预滤波,打破了探测时间和频谱分辨率的折中关系,增加探测精度,减少探测时间;同时可以实现频谱分辨率的自由调节.设计采用TSMC0.13μm CMOS工艺,在1.2 V的电源电压下的功耗为30 mW.测试结果显示,设计实现-65 dBm探测精度,31 dB动态范围,1~20 MHz的频谱分辨率选择,仅1μs的单点探测时间.

摘要：在湿法刻蚀腔体中,为使气流场中的微颗粒物顺畅的流出刻蚀腔体,减小对晶圆片的微粒污染程度,应该避免气流场中产生涡流。针对避免在气流场中产生涡流这一问题,应用FLUENT仿真模拟软件,通过使用正交试验设计的方法,得到不同工艺参数情况下的湿法刻蚀腔体气流场分布情况。然后对仿真结果数据进行Logistic回归建模。Logistic回归模型计算结果与仿真结果有较高的一致性。Logistic回归模型对湿法刻蚀工艺参数的选择具有指导意义。