摘要：本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

摘要：描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器(DCXO)。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将频率更快地调节到正确的位置,并且芯片面积更小。设计的数控晶体振荡器采用TSMC 0.13μm BiCMOS工艺实现。

摘要：实现了一个带宽和增益可配置、高线性度、低噪声的模拟基带电路,可应用于77GHz CMOS毫米波雷达接收机。电路包括一个带宽可配置的5阶巴特沃斯低通滤波器模块、三个可编程增益放大器模块以及三个直流失调消除环路。增益范围为18～70dB,增益步进为6dB;带宽为200kHz～2MHz;噪声系数最小为24dB;输出1-dB压缩点为5.1dBm,在最高增益时,IIP3为-52dBm;功耗为14.6mA@1V。电路采用65nm CMOS工艺实现,芯片面积为1.2×0.93(mm2)。

摘要：为改善强韧性，本文基于热冲压高强度钢板强度、塑性和韧性指标，选取加热温度、保温时间和开始淬火温度为设计因子，引入Kahn试验获得高强度热冲压硼钢撕裂强度和单位面积裂纹形核功来表征材料断裂韧性，进行多指标综合评分的L9（3^4）正交试验设计，以研究不同淬火工艺参数对热冲压高强钢强韧性的影响规律．结果表明：在加热温度为920～950℃、保温时间1min、开始淬火温度为650～700℃条件下，热冲压硼钢SPFH具有优良的成形性能和强韧化指标．采用优化后工艺进行典型车身结构件热冲压试验，其撕裂强度、单位面积裂纹形核功和强韧比分别提升10．91％、20．32％和22．17％，在保证强度的基础上韧性得到了大幅度提高．

摘要：为了研究木霉菌株对鸭茅植株生理生化指标的影响,试验将从鸭茅根际分离筛选获得的5株优良木霉促生菌株(M1、M2、HM、LM、LS)接种到鸭茅植株上,测定丙二醛(MDA)含量,过氧化氢酶(CAT)、过氧化物酶(POD)、抗坏血酸过氧化物酶(APX)活性及叶绿素、可溶性糖、可溶性蛋白含量。结果表明:5株木霉菌株处理的鸭茅植株叶片及根部MDA含量均低于对照,降幅分别是12.20%~31.71%,24.35%~65.38%;叶片及根部CAT活性均高于对照,增幅分别为34.56%~81.39%,8.86%~255.70%;叶片及根部POD活性较对照均有不同程度提高,增幅分别为24.40%~140.98%,16.26%~149.83%;叶片及根部APX活性较对照也有不同程度提高,增幅分别为95.86%~300.04%,47.04%~205.54%;叶片叶绿素、可溶性糖、可溶性蛋白含量增幅分别为5.98%~51.67%,3.42%~17.86%,12.98%~25.28%。说明木霉菌株能够提高鸭茅植株的抗性,从而促进鸭茅生长。