摘要：基于正交频分复用(orthogonal frequency division multiplexing,OFDM)的宽带电力线通信(power line communication,PLC)系统中信道估计受到了脉冲噪声的严重影响。针对该问题提出了一种确定脉冲噪声出现位置的方法,对其进行"置零"处理。该时域非线性处理虽然消除了脉冲噪声的影响,但引入了子载波间干扰(inter carrier interference,ICI),造成信道估计性能的损失,利用PLC系统中的前导结构设计了一种迭代消除ICI的信道估计算法。仿真结果表明,由于进一步考虑了ICI对信道估计的影响,所提算法显著提高了PLC系统脉冲噪声环境下信道估计的准确性,相应改善了该系统的误码性能。

摘要：为了减少汽车覆盖件在冲压成形过程中由于不确定因素带来的质量波动问题,针对梁类件自由回弹的问题,将正交试验法与响应面法相结合,以减小自由回弹为优化目标,工艺参数为设计变量,构建评价指标与设计变量之间的响应面模型;并针对响应面精度不足的问题,将以高斯为核函数的径向基函数用于重构响应面模型,以提高响应面的精度与阶次;在此基础上,将近似模型、蒙特卡洛模拟法与遗传算法相结合,建立了稳健性优化模型。通过实例分析,经过稳健性优化之后,零件自由回弹的最大值减小了37.01%且稳健性得到了显著提高。

摘要：针对稀疏码多址接入(sparse code multiple access,SCMA)技术中,消息传递算法(message passing algorithm,MPA)收敛速度较慢导致复杂度较高的问题,提出一种基于加权消息传递的SCMA多用户信号检测改进算法。在原始MPA的基础上,通过引入权重因子改变每个叠加星座点的初始概率,使靠近接收信号的星座点可以获得更大的初始概率,加快迭代过程的收敛速度。仿真结果表明,与原始MPA算法相比,改进算法在误比特率(bit error rate,BER)和复杂度之间达到了较理想的平衡。

摘要：针对SUS304双层不锈钢异型消声器壳体成形困难的现状，提出了采用不同形状坯料通过3次拉深工序来成形的工艺规划，重点采用正交试验和数值模拟分析方法在hypermesh中对第一次成形工艺参数进行了优化。坯料形状、压边力、拉深筋和双层板间的摩擦系数分别分为4个不同水平，以每一次拉深结束后坯料的最大减薄率和增厚率作为衡量坯料开裂和起皱的指标。对正交试验的数据进行分析，得到了4种因素和4种水平下的拉深指标，最佳工艺参数为坯料形状为BL4，压边力为350kN、拉深筋分布为DB3及双层不锈钢板之间摩擦系数为0.2。采用最佳工艺参数的模拟结果都在安全范围之内，为实际生产提供了指导。

摘要：目的:克隆日本血吸虫琥珀酸脱氢酶铁硫蛋白(SjSDISP)全长编码基因,并对所获基因在大肠杆菌中进行表达。方法:根据基因库中SjSDISP对应的EST(BU804141)以及日本血吸虫成虫cDNA文库载体λgt11多克隆位点邻近核苷酸序列设计引物,以日本血吸虫成虫cDNA文库为模板,采用锚式PCR对SjSDISP基因不完整的3′端和5′端进行扩增、测序,用电子软件拼接成全长cDNA,将其克隆到表达载体pGEX-4T-1上,经琼脂糖凝胶电泳、限制性内切酶消化、PCR和测序鉴定后,选择阳性克隆进行表达及Western印迹分析。结果:获得1071bp全长cDNA,其理论推导为编码278个氨基酸残基的蛋白质。SjSDISP基因在大肠杆菌BL21中获得良好表达。该融合表达产物相对分子质量约为56kD,且能被日本血吸虫成虫抗原免疫血清特异识别。结论:编码日本血吸虫琥珀酸脱氢酶铁硫蛋白全长cDNA克隆及其在大肠杆菌中的表达获得成功。

摘要：本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

摘要：描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器(DCXO)。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将频率更快地调节到正确的位置,并且芯片面积更小。设计的数控晶体振荡器采用TSMC 0.13μm BiCMOS工艺实现。

摘要：在中性点经消弧线圈接地的中压配网里,为了使接地故障时的补偿达到最好的效果,必须准确检测配网的对地电容。利用信号注入法测量中压配网的对地电容,具有诸多其他方法所不具备的优点,且可达到所要求的精度。而应用信号注入法的前提是需要具备一系列特殊要求的注入信号源,提出了一种新型的基于DSP控制芯片和智能功率模块IPM的变频恒流信号源设计。试验结果表明该变频恒流信号源可控性强,工作稳定,精度高。

摘要：针对三重介质底水气藏压裂水平井渗流规律和底水侵入气藏导致气井产能下降的特点,基于溶洞系统和基岩系统中的天然气向裂缝系统窜流,经裂缝系统产出的物理模型,将底水边界视为半滤失边界,建立了该类储层介质的非稳态渗流数学模型,并利用源函数、有限Fourier余弦变换和贝塞尔函数的积分方法得到了模型的点源解。在此基础上,采用解析法与数值离散法相结合的半解析方法获得了三重介质底水气藏多级压裂水平井的压力响应和非稳态产能计算模型。利用Stehfest数值反演得到了气井非稳态产能随时间的变化关系曲线,分析了气井产能的变化规律,研究了压裂裂缝条数、裂缝半长、裂缝间距、孔—缝和缝—洞的窜流系数及缝洞储容比等参数对气井非稳态产能动态特征的影响。研究方法和结果对合理分析三重介质底水气藏压裂水平井生产动态特征和优化压裂参数设计具有一定的指导意义。

摘要：覆盖率数据是验证工程师判定SoC验证完备程度的定性度量,为SoC验证完全性提供了保障,指明了方向.文中以SoC总线仲裁器验证为例,对其结构覆盖率、功能覆盖率、断言覆盖率等多种覆盖率进行了全面的分析,然后根据覆盖率分析结果反馈到RTL设计代码和测试激励进行修正,直到验证的完整性满足设计的要求.