摘要：全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。

摘要：基于中科院微电子所自主研发的V58300硬件平台,设计实现了一种集成电路功能测试系统。该系统包含上位机与下位机两部分,通过在上位机实时更改测试系统相关I/O的定义和输入的测试向量文件,即可自动完成对各种运行频率在25 MHz及以下,I/O数量在48位及以下双列直插(DIP)封装集成电路的功能测试,实现了测试系统的通用化和低成本化。最后通过实验证明本测试系统可以有效地对相关芯片进行功能测试。