摘要：针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.

摘要：介绍了一种新型波导基空间功率合成器的结构设计.采用优化的Klopfenstein型鳍状天线阵,制作实现了C波段(3.2～4.9GHz)2×3层空间功率合成器.器件的外部结构尺寸为70.12mm×98.44mm×160mm,内部集成了6只内匹配的砷化镓微波单片功率管.对该器件进行了功率合成特性的测试,实测性能指标为:在4.2GHz,该器件在连续波输入下线性增益为8.5dB,饱和输出功率为42.82dBm(19.1W),功率附加效率为25.3%,功率合成效率达到72.3%.

摘要：本文针对传输触发体系结构设计了一款异步微处理器.由于异步TTA采用分布式的控制方式,数据相关会导致程序执行错误,因此提出了一种数据源选择技术来保证程序执行的正确性,并给出了异步TTA的微体系结构与电路实现.最后,在0.18μm工艺下采用基于宏单元的异步集成电路设计方法实现了该异步微处理器.实验结果表明提出的数据源选择技术能够有效保证异步TTA微处理器正确执行,同时异步TTA计算内核功耗仅为相应同步计算内核功耗的40%左右.