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高灵敏度4H-SiC基高温压力传感器: 收藏
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引用; 《微纳电子技术》2021年第6期58卷 489-495,538页; 作者：李永伟梁庭雷程李强李志强熊继军中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 太原工业学院自动化系太原030051; p型4H-SiC相较n型4H-SiC具有更高的压阻效应,p型4H-SiC正方形膜片作为弹性元件相较圆形膜片具有更高的灵敏度。基于此,设计了一种基于p型4H-SiC压阻效应的高灵敏度碳化硅压力传感器,探索了Ni/Al/Ni/Au与p型4H-SiC之间形成良好欧姆接触...; p型4H-SiC相较n型4H-SiC具有更高的压阻效应,p型4H-SiC正方形膜片作为弹性元件相较圆形膜片具有更高的灵敏度。基于此,设计了一种基于p型4H-SiC压阻效应的高灵敏度碳化硅压力传感器,探索了Ni/Al/Ni/Au与p型4H-SiC之间形成良好欧姆接触的条件,并制备了传感器芯片。在25~600℃空气环境中对传感器芯片的电阻进行了测试,验证了传感器在≤600℃下具有良好的电连接性。最后,在常温至250℃下对传感器进行性能测试。实验结果显示,常温环境下传感器具有较高的输出灵敏度为10.9μV/V/kPa,即使在250℃时其输出灵敏度也约为6.7μV/V/kPa。该研究为高温压阻式压力传感器发展提供了一定的技术参考。; 来源：详细信息评论

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