摘要：网格计算是分布式环境中资源共享和协同工作的有效手段,资源管理是网格计算中的关键问题。基于对等计算的思想,提出了一个Grid-P2P资源管理模型,并设计出一种基于碟式洗牌遗传算法的任务调度优化方法。仿真实验结果表明,该模型有利于网格的扩展性和动态性,可以成功地应用于网格任务调度。

摘要：讨论了电子束焊接过程中电子失去动能的能量转换和电子定向流动的电流传导这两种物理过程,提出并定义了工件传导电流概念,设计了专用的多通道电流信号采集系统,从复杂的电子束焊接动态过程中剥离并定量检测出包涵焊接信息的工件传导电流的动态行为。全面系统地研究了工件传导电流的时域、频域、排序特性、传导比等特性;发现并证明了传导比可定量地描述焊接动态过程的临界穿透状态;利用研究获得的传导比均值与输入束流的函数关系建立了可描述电子束焊接过程的动态特性判据。

摘要：针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。

摘要：为研究局部改性弹体结构的破坏和质量损失规律,设计了不同改性特征的侵彻弹体,在380~500m/s速度范围内进行了侵彻装甲靶板的实验研究,并对弹体的破坏形式、质量损失等问题进行了探讨。结果表明:随着初始速度的增加,实验弹体的弹长侵蚀率及相对质量损失率相应增加,而弹径磨损率变化较小;穿靶后实验弹体以头部剪切断裂为主要破坏形式,但主体部分仍然保持稳定。改性工艺(1)和工艺(5)既与弹体强度有较好的匹配性,又可保持良好的破碎性能。

摘要：亚阈值电路是低功耗重要发展方向之一。随着电源电压降低,晶圆代工厂提供的标准单元电路性能容易受噪声和工艺偏差的影响,已经成为制约亚阈值芯片的瓶颈。该文提出一种基于施密特触发(ST)与反向窄宽度效应(INWE)的亚阈值标准单元设计方案。该方案首先利用ST的迟滞效应与反馈机制,在电路堆叠结点处添加施密特反馈管以优化逻辑门、减少漏电流、增强鲁棒性;然后,采用INWE最小宽度尺寸与分指版图设计方法,提高电路的开关阈值与MOS管的驱动电流;最后,在TSMC 65 nm工艺下构建标准单元的物理库、逻辑库和时序库,完成测试验证。实验结果表明,所设计的亚阈值标准单元与文献相比,功耗降低7.2%~15.6%,噪声容限提升11.5%~15.3%,ISCAS测试电路的平均功耗降低15.8%。

摘要：提出一种新的多级联线性啁啾光纤光栅密集梳状滤波器,该结构由多个相同的线性啁啾光纤光栅(LCFBG)组成,并对其光谱特性进行了模拟和分析。研究表明,滤波通道间隔由单元光栅构成的法布里-珀罗(F-P)谐振腔的长度确定,通过选择合适的光栅总啁啾量、光栅折射率调制深度和光栅级联数,可以获得反射率高、响应谱宽的多通道滤波效果。采用多级联方式,在较小折射率调制深度的情况下,可以实现高反射率,降低了通常对光栅折射率调制深度的要求。该结构由相同的线性啁啾光纤光栅级联而成,可以采用同一个光栅模板制作,容易实现。

摘要：给出了基于CO2激光器（中心波长λ1=9．3μm和λ2=10．6μm）的连续可变扩束比激光扩束系统的设计实例。系统镜片全部采用硫系玻璃材料Ge20Sb15Se65，此材料便于模压以降低成本。以经典二组元变焦设计为出发点，在理想光学系统的基本目标参数上加入具体的波长、入射直径和材料等光学参数，利用Zemax软件优化校正像差，设计得到了一种光束准直性好、结构简单且成本低廉的CO2激光器连续可变高扩束比激光扩束系统。此系统最大入射光束直径为6mm，两中心波长带宽均设计为100nm，扩束比在2～7之间连续可调，最大波像差小于1／4中心波长。

摘要：随着集成电路工艺节点的不断推进,互连线间的寄生效应越来越明显。互连线已经成为制约提高芯片计算能力的关键因素之一,考虑将互连线作为逻辑计算的设计方法引起设计者的广泛关注。通过对互连线间电容耦合效应的研究,提出一种采用金属互连线间的确定性信号干扰来进行逻辑计算的电路设计方案。该方案首先分析金属互连线间电容耦合关系,构建电容耦合模型。然后利用纳米金属线构成耦合电容,调节干扰线与受扰线之间的耦合强度以及调整反相器阈值,设计与非、或非、异或、同或逻辑,在此基础上实现互连线电容耦合的3线-8线译码器。最后,采用台积电65 nm互补金属氧化物半导体工艺,Cadence Spectre环境下仿真验证,结果表明所设计的线计算电路功能正确。与台积电65 nm工艺库的标准单元相比,二输入线计算与非门使用的晶体管数量减少25%,二输入线计算同或门的功耗减少29.1%,四输入线计算与非门的面积和功耗延时积分别减少46.4%和55%。因此,线计算逻辑门具有低硬件开销特性,提供了密集实现数字集成电路的新途径,有利于芯片向小型化发展。

摘要：通过研究2维正方晶格光子晶体波导多模干涉的自映像效应,优化设计了一种新型1×2光子晶体波导分束器,采用时域有限差分法对其传输特性进行模拟分析。设计过程中,根据多模干涉耦合区中周期出现的双重像的位置确定两个单模输出波导的位置,通过在分束器输入和输出耦合区的连结处设置介质柱,改变输入和输出耦合区中的模场分布,实现模式匹配,从而明显减小分束器的反射损耗。计算结果表明:设置的介质柱归一化半径分别为0.08和0.177时,对于波长为1.55μm的入射光,该分束器的透射率可高达93%。

摘要：研究一种与CMOS工艺兼容的梳状电极结构电容式传感器,对其敏感电容的变化量进行理论推导,建立了一种简单的解析模型,并使用Ansys软件仿真验证。利用该解析模型能够直观的分析各种参数变化对敏感电容变化量的影响,对芯片设计、制作及测试等具有参考意义。