摘要：本文在知识生产函数的基础上构建了相关的计量模型,基于广东省科技中小企业问卷调查的数据,对于中央财政补贴和地方财政补贴影响科技中小企业知识产权资产形成进行了实证研究。最后,得出结论:(1)中央财政补贴对于科技中小企业知识产权资产的形成影响不显著,甚至对于实用新型和软件著作权专利的申请具有显著的负相关性影响。(2)地方财政对于大部分科技中小企业知识产权资产的形成具有显著的正相关性影响,但是对于植物新品种和集成电路布图设计专有权专利申请数具有不显著的负相关性。(3)财政补贴对于科技中小企业的技术研发投入具有显著的替代效应。(4)科技中小企业的知识产权资产的形成仅仅是在法律层面得以成立,而在经济层面是否能为科技中小企业、社会和政府带来经济收入,还存在着疑问,需要进一步深入研究。

摘要：以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔体中间区域到边缘区域不同流速层次条件下,腔内材料生长区域反应前驱物分布,得出结论:在边缘喷射区域流速为中心区域流速三倍时,反应前驱物可以有效分布在衬底托盘表面。最后,在蓝宝石衬底GaN籽晶表面进行HVPE材料生长,获得平均厚度为20.1μm,均匀性起伏6.9%的GaN单晶,证明理论优化设计下生长出良好的单晶薄膜材料。

摘要：本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。