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一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统: 收藏
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引用; 《应用光学》2011年第5期32卷 1016-1021页; 作者：肖光辉覃海蓝劾叶健杨明生潘龙法东莞宏威数码机械有限公司研发中心广东东莞523018 清华大学机械工程学院精密仪器与机械学系光盘国家工程研究中心北京100084; 非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四...; 非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400mm×1 100mm×3.2mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围(P1至P3的距离)为287μm,最终深度分别为0.98μm,0.24μm和0.58μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求。; 来源：详细信息评论

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