摘要：为给高质量簇绒地毯的开发提供设备保障,针对运动副铰链中存在间隙的问题,以DHGN801D-400型簇绒地毯织机耦联轴系的主轴系统为研究对象,介绍了簇绒地毯织机耦联轴系的组成部分,分析了针机构的运动特性。考虑到簇绒针机构中3处易磨损的铰链间隙,基于虚拟样机ADAMS软件得到不同间隙下簇绒针的位移、速度、加速度及铰链支反力,从而根据针位移分析铰链间隙对毯面绒高的影响。再以铰链点坐标及杆长为设计变量,以铰链副间的冲击力和针行程最小为优化目标,对该簇绒针机构进行多目标优化,得到最优的铰链坐标及杆长,将铰链间隙对绒高的影响降到最低。

摘要：研究目的:浦梅铁路新建隧道双侧近接既有偏压浅埋隧道工程的不良地质问题突出,近接形式独特,施工过程中缺乏有效的理论和实践方法指导。本文以该工程为依托进行拓展研究,利用数值模拟和理论分析方法,对不同偏压角度和净距条件下的近接施工影响规律进行系统研究。研究结论:(1)偏压角度增加会提高近接施工的扰动性,主要表现为既有隧道的拱腰及以上部位变形增大、边墙以上部位塑性区范围扩大,结构受力增加、对边坡稳定性干扰加重;(2)既有隧道拱顶由于卸荷回弹会发生抬升变形,且随着S_(1)增大呈现先增大后减小的变化规律,在S_(1)=0.5D取得最大值;两侧拱腰由于坡体失稳会发生浅埋向变形,且随着S_(1)增大呈现先减小后增大的变化规律,在S_(1)=0.5D取得最小值;(3)既有隧道衬砌结构在墙脚部位发生显著应力增长,在实际受力监测过程中,对于边墙以上部位应重点关注深埋侧,边墙以下部位应重点关注净距较小侧;(4)当浅埋侧隧道与既有隧道净距较大时,应做好边坡防护;(5)本研究结果对于隧道双侧近接既有偏压浅埋隧道施工影响及其相关研究具有一定参考借鉴作用。

摘要：为了探究系统刚度与刀架传动系统动态特性和精度的关系,针对滚齿机刀架传动链这一复杂机电系统,从全局机电耦合角度,建立了该系统的机电耦合模型并基于齿轮副啮合刚度、传动轴扭转刚度得出了机械刚度模型。通过MATLAB/Simulink仿真,得出了机械刚度与伺服刚度对系统的影响规律。又通过研究机械刚度、系统伺服刚度与系统闭环控制参数的耦合关系分析了刚度对跟踪精度、抗振性和抗干扰能力的影响。所得结论可提高齿轮机床精密传动系统的稳定性和加工精度并对机电耦合控制参数方案的优化设计提供了研究基础。

摘要：以刷子状水溶性共轭聚芴(PFNI)为传感材料,以荧光素标记的核酸适体(FAM-apt15)为探针,设计了一种检测凝血酶的高灵敏度蛋白质传感器.PFNI的刷状结构带有大量正电荷,与负电荷的柔性单链核酸探针形成静电复合物,使能量供体(PFNI)与受体(FAM)之间的距离较近,发生高效荧光共振能量转移(F?ster resonance energy transfer,FRET).当探针与靶凝血酶结合时,形成刚性且体积较大的G-四链体/凝血酶复合物,由于体积位阻和密集的刷子的阻碍作用,PFNI与FAM之间的距离被拉大,FRET效率显著降低.对缓冲溶液中凝血酶检测的最低检测限可达0.05 nmol/L.与基于线型共轭聚合物的蛋白质检测方法相比,灵敏度提高了至少一个数量级.

摘要：利用 CMOSOL Multiphysics 软件，正演分析了3层模型近场效应下二极装置电位分布特征．采用电位 AM二极观测系统，设计不同的 RAM供电电极距，RBN无穷远电极距，利用 WDJD －4型激电仪进行野外现场试验．数值模拟表明供电电极距对2个异性点电源场影响较大，但在一定的无穷远极距范围内畸变可以矫正．现场电测深试验表明，小供电电极距RAM情况下，二极测深曲线不能正确反映电介质的电性分布．电位观测系统的无穷远极距 RBN使得测深曲线偏离了正常测深曲线，甚至产生了歧义的负电阻率拐点．通过传统电场理论分析，利用不同观测装置下的视电阻率计算公式推导了二极装置非无穷远条件下的校正公式．测深数据校正误差表明，在无穷远极距满足1．5RAO≤RBO≤5RAO （RAO为供电电极 A 距中点O 的距离，RBO为供电电极 B 距中点 O 的距离）的情况下，校正误差小于5％，可利用的无穷远电极极距提高3倍，并成功应用于井下工作面实际探测中．

摘要：以水溶性聚对苯撑乙炔分子刷(PPEB)为传感材料,荧光素标记的多肽为识别探针,设计了一种可实现肿瘤标志物快速、灵敏检测的蛋白质传感器。PPEB的刷状结构带有大量正电荷,与带负电荷的多肽形成静电复合物,使能量供体(PPEB)与受体(荧光素)之间的距离较近,发生高效荧光共振能量转移(FRET)。当多肽探针被前列腺特异性抗原(PSA)识别并切割为更小的寡肽片段时,由于肽段所带电荷量和等电点的变化,其与PPEB之间的静电作用减弱,能量供体和受体之间的距离增大,FRET效率降低。该传感器对PSA的检测可在40min内完成,具有良好的特异性和灵敏度。

摘要：有机二极管电存储器(Organic Diode Memories,ODMs)是未来信息存储技术的重要方向,基于纳米粒子掺杂的有机薄膜二极管是有效地设计存储器件与优化存储性能的重要途径.本文介绍了纳米粒子掺杂的有机二极管电存储器的基本原理、存储类型、器件结构以及制备方式,综述了纳米粒子的类型、形貌、掺杂浓度、表面修饰及主体材料对器件存储性能的影响,并在此基础上深入讨论了纳米粒子掺杂的三种存储可能机制:丝状电导机制、场致电荷转移机制和载流子的捕获与释放机制.最后,指出了该领域存在的挑战,并对今后的研究方向进行了展望.