摘要：设计了一种指数型曲线补偿的带隙基准源电路.利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数型变化的特性,有效地对基准源进行指数型温度补偿.电路具有较低的温度系数,并且结构简单;利用深度负反馈的方法,可有效地抑制电源电压变化给带隙基准源所带来的影响,提高了电源抑制比;为了加大电路的带负载能力,该电路增加了输出缓冲级.用spectre工具对其进行仿真,结果显示在-40℃-85℃的温度范围内,电路具有12×10^-6/℃的低温度系数;当电源电压在4.5 V到5.5 V之间变化时,基准源电压的变化量低于85μV.电路采用0.6μm BICMOS工艺实现.

摘要：设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点．电流镜用作运放，它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路．使用0．6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型，利用Spectre工具对其仿真。结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45～85℃和4．5～5．5V时，输出基准电压变化1mV和0．6mV；温度系数为16×10^-5／℃；低频电源抑制比达到75dB．电路在5V电源电压下工作电流小于25μA．该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路．

摘要：论述了一种采用I2C总线接口的串行实时时钟芯片的设计方法.该芯片是一个低功耗、完全BCD码的时钟/日历芯片,地址和数据通过I2C双向数据总线串行传输.时钟/日历提供秒、分、时、日、星期、月和年的时间信息;集成的249 byte的静态随机存储器(SRAM)可用于存储临时信息;内置了电源电压监控电路,可使芯片在掉电时自动转入电池供电模式,并对SRAM进行掉电保护;与微处理器连接时,只占用CPU的2条I/O口线(SDA口线和SCL口线),数据传输速率最高可达400 kHz.

摘要：提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.