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检索条件"基金资助=电子元器件可靠性物理及其应用技术国防技术重点实验室基金资助"
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一种新的硬件设计方法——结构化ASIC技术
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《微计算机信息》2006年 第1Z期22卷 153-155页
作者:王国章 刘战 须自明 于宗光无锡中国电子科技集团公司第五十八研究所 江南大学信息学院 
本文介绍了一种新的硬件设计方法——结构化ASIC技术及其代表的设计流程,对标准单元ASIC技术、FPGA技术与结构化ASIC技术进行了比较,最后给出了结构化ASIC的应用框图。
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SoC芯片验证技术的研究
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《微计算机信息》2007年 第23期23卷 132-133,154页
作者:王国章 须自明 刘战 于宗光江南大学 
近几年来,SoC技术已经得到了迅速的发展,随之而来的是SoC设计的验证也变得更加复杂,花费的时间和人力成倍增加。一个SoC芯片的验证可能会用到多种验证技术,常用的SoC的验证技术包括SoC的模拟仿真技术、静态时序分析技术、SoC的FPGA验证...
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基于改进4-2压缩结构的32位浮点乘法器设计
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《微计算机信息》2007年 第3X期23卷 224-225,199页
作者:邵磊 李昆 张树丹 于宗光 徐睿江南大学信息工程学院江苏无锡214036 中国电子集团第58研究所江苏无锡214035 
本文介绍一种用于高能DSP的32位浮点乘法器设计,通过采用改进Booth编码的树状4-2压缩器结构,提高了速度,降低了功耗,该乘法器结构规则且适合于VLSI实现,单个周期内完成一次24位整数乘或者32位浮点乘。整个设计采用Verilog HDL语言结...
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16位高速DSP增强型同步串行口的设计
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《微电子学》2006年 第1期36卷 94-96,100页
作者:陶伟 唐玉兰 于宗光江南大学信息工程学院江苏无锡214036 
分析了一种16位高速DSP中增强型同步串口的帧格式及其接口和功能;详细讨论了同步串口的系统级和行为级的设计过程。利用Verilog,设计出同步串口的电路;并通过计算机仿真和实验,证明了设计的正确
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一种适合于SoC集成的UART核的设计实现
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《微电子学与计算机》2005年 第9期22卷 10-13页
作者:张松 董玲 于宗光 须文波 薛忠杰江南大学通信与控制工程学院江苏无锡214036 
文章主要介绍一个通用异步接收器∕发送器(UART)核的设计。按串行通信协议进行设计,具有模块化、兼容和可配置,适合于SoC(System-on-a-Chip)应用。仿真结果表明该核满足收发要求,功能正确;在RTL级充分考虑了资源共享,实现了对电路...
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一种改进的基于扫描的电路设计
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《微计算机信息》2006年 第2Z期22卷 235-237页
作者:唐玉兰 于宗光 李天阳 黄越江南大学信息工程学院214000 中国电子科技集团公司第五十八研究所江南大学信息工程学院214000 
由于科学技术的快速提高,单一芯片中所包含的晶体管的数目越来越多,相对造成了芯片可测试度的降低,以及测试成本的增加。传统的基于扫描的测试方法中,常会有测试时间太长的缺点。本文采用了向量压缩,并用Test-Per-Clock的方式来处理待...
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高速实时控制SoC的设计与研究
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《微计算机信息》2006年 第4Z期22卷 73-74,199页
作者:陶伟 黄越 唐玉兰 于宗光无锡江南大学信息工程学院 
文章阐述了高级的实时处理器结构,并且讨论了嵌入式实时控制SoC的设计方法,该设计方法支持高速实时控制,在单芯片上集成了全部的数字器件,将外围逻辑减少到最低限度。模拟控制系统的软件库能自动进行系统设计,将控制命令转换成处理器能...
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与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
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《微电子学》2007年 第1期37卷 41-44页
作者:李红征 于宗光江南大学信息工程学院江苏无锡214036 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显...
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基于表面响应法的半导体器件热阻网络技术研究
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《微电子学》2007年 第2期37卷 155-159页
作者:曾理 丁晓鸿 杨邦朝 蒋明 陈文媛 谢诗文 滕林电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 深圳振华富电子有限公司广东深圳518109 
热阻网络是在扩展传统内热阻定义的基础上,将计算机模拟的全模型采用优化方法简化而得到的。该方法继承了全模型可预测在各种工作环境下的芯片结温的优点。在分析半导体器件内热阻的基础上,提出了一种新的独立于边界条件的热阻网络模型...
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中子管内潘宁离子源的建模与控制
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《原子能科学技术2018年 第7期52卷 1316-1320页
作者:乔双 范琦 杨智清 曾军 李刚东北师范大学物理学院吉林长春130024 
由于中子管内离子源电流滞后于储存器电流,导致离子源电流的调节速度和稳定不够高,进而影响中子产额的稳定。本文在分析大量实验数据的基础上,建立了中子管离子源的数学模型,设计出相应的PID控制算法。经测试表明:所构建的离子源模...
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