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检索条件"基金资助=电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目"
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地震勘探用电容式闭环微加速度计的仿真
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《微纳电子技术》2012年 第2期49卷 108-112页
作者:谌贵辉 刘建生 李礼 杨帆西南石油大学电子信息工程学院成都610500 
MEMS加速度传感器大幅提高了新型地震检波器的各项性能指标。利用有限元软件AN-SYS建立了悬臂硅梁的力学模型,并通过其力学性能仿真,得出优化的设计结构尺寸,即梁长L=150μm,梁宽b=40μm,梁厚h=4μm,活动电极和固定电极的间距d0取为1μ...
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基于ZnO/Al_(2)O_(3)缓冲层制备耐高温SAW器件电极
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《压电与声光》2021年 第3期43卷 365-369页
作者:李海鸥 刘晶晶 彭斌 王博文 刘兴鹏 郭磊桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都611731 中国科学院纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215123 
为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1000℃)中工作,该文设计并在La_(3)Ga_(5)SiO_(14)压电衬底上制作Pt/ZnO/Al_(2)O_(3)多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al_(2)O_(3)组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的...
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基于AD7150微位移电容传感器的研究
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《半导体技术》2012年 第6期37卷 425-428,441页
作者:黄林 陈向东 谢宁宁 李晓钰西南交通大学信息科学与技术学院成都610031 
利用了集成芯片AD7150完成了对微位移电容传感器的电容采样。对AD7150芯片设计了相应的外接电路,为了增强电路的抗干扰能力,加入相应滤波电路;通过单片机模拟I2C通信方式来进行AD7150的读写控制。测量结果给出了10 pF以下不同标称电容...
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逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
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《半导体技术》2017年 第9期42卷 669-674,695页
作者:邓小社 郭绪阳 李泽宏 张波 张大成北京大学软件与微电子学院北京102600 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以...
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具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计
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《微电子学》2010年 第2期40卷 300-304页
作者:薛龙来 郭宇锋 周井泉 孙玲南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 南通大学江苏省专用集成电路重点实验室江苏南通226019 
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,并开发了用于优化窗口尺寸和位置的计算机程序。TCAD 2-D工艺仿真验证了该技术的可行性...
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5Gb/s0.18μm CMOS半速率时钟与数据恢复电路设计
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《微电子学》2012年 第3期42卷 393-397,410页
作者:张长春 王志功 吴军 郭宇峰南京邮电大学功率与射频微电子研究中心南京210046 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 
基于具体的系统需求,采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种半速率bang-bang型时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由改进型半速率鉴相器、带粗控端的环形压控振荡器(VCO)以及信道选择器等模块构成。其中,改进型半速率鉴相器通过增...
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基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路
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《微电子学》2013年 第5期43卷 637-640,645页
作者:范茜 陈后鹏 许伟义 王倩 蔡道林 金荣 宏潇 李喜 陈一峰 宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 
相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S...
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一种新型宽发射材料的合成及其光电性能研究
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《功能材料》2017年 第8期48卷 63-66,73页
作者:施昆雁 席昭洋 陈柳青 文平 张跳梅 王忠强 赵波 梁效中 孙鹏 曹亚雄 王华 刘旭光 许并社太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024 太原理工大学材料科学与工程学院太原030024 太原理工大学化学化工学院太原030024 
以2-噻吩甲醛、苯胺及方酸为原料合成了一种新型含噻吩基方酸菁衍生物的宽发射有机电致发光材料——1,3-二(苯基噻吩氨基)方酸(SQ),通过核磁共振、红外光谱和元素分析确定其分子结构。并研究了其光物理性能。研究发现,SQ薄膜的发射光谱...
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