摘要：研究同时含有执行器故障和传感器故障的Delta算子时滞系统的鲁棒可靠D--镇定问题.利用矩阵特征值理论和线性矩阵不等式方法,给出了Delta算子时滞系统D--稳定的充分条件,进而,针对同时含有执行器故障和传感器故障的Delta算子范数有界参数不确定时滞系统,设计鲁棒可靠D--镇定状态反馈控制器,使得对于所有容许的不确定性、执行器故障和传感器故障,Delta算子闭环时滞系统的极点均落在复平面指定圆盘区域内.最后,通过数值算例验证了控制器设计方法的可行性和有效性.

摘要：提出了一种曲线驱动的网格变形方法并把其应用于鞋楦的设计系统。基于三角网格模型的拓扑邻接信息,快速提取截面轮廓曲线;由主曲率极值法提取模型特征点集,利用移动最小二乘法细化该点集并对其进行排序、稀疏,然后将细化后的点集拟合为B样条曲线。计算曲线上采样点与模型上的对应点,从而使曲线与模型相关联,通过交互编辑截面轮廓曲线或特征曲线等来实现鞋楦的再设计。最后给出了该方法在鞋楦CAD系统中的功能实现。

摘要：微器件动力学特性通常受到周围粘性流体阻尼的强烈影响,在器件优化设计中,需要建立静电-结构-流体三场耦合模型才能细致考虑这些影响。为研究微开关在粘性流体介质中的动/静态特性和流体阻尼,建立以Navier-Stokes方程描述流体特性的静电微开关模型并进行数值分析;与相关文献结果比较验证了计算的正确性;得到了空气和去离子水介质中微开关的静/动态闭合电压、不同阶跃电压驱动下的闭合特性和流体阻尼力分布的情况。分析认为,微开关动/静态闭合电压的差异在介质粘性较大环境中较小,而在介质粘性较小环境中较大。

摘要：提出差动正激直流斩波器型高频环节逆变器电路拓扑,并对该逆变器的电路拓扑、输出电压与滤波电容电流瞬时值反馈控制策略、稳态原理特性、关键电路参数设计准则等进行深入地分析研究。该逆变器是由输出低频正、负半周的单极性正弦脉宽调制电压波且共用输入、输出滤波器的两个双向正激直流斩波器以差动电路构成。理论分析结果表明,该逆变器具有高频电气隔离、电路拓扑简洁、双向功率流、单级功率变换、输出电压波形质量高、负载适应能力强等优点。原理试验证实了该逆变器的正确性与可行性。

摘要：提出差动正激直流变换器型高频环节逆变器电路拓扑,并对该变换器的电路拓扑、瞬时电压控制策略、稳态原理特性、关键电路参数设计准则等进行了深入地分析研究。该逆变器是由2个相同的、输出反相低频正弦脉动直流电压的高频电气隔离双向功率流正激直流变换器以差动电路构成。理论分析和仿真结果表明,该变换器具有高频电气隔离、电路拓扑简洁、双向功率流、输出电压纹波小、负载适应能力强等优点。原理实验证实了这种逆变器的正确性与可行性,为实现新型逆变电源奠定了关键技术基础。

摘要：高分子学科经过一百年的发展已是枝繁叶茂,每一种新型高分子及其自组装驱动力的出现,都预示着高分子这棵大树"新枝"的绽放.通过在大分子主链、侧链或者交联点中嵌入动态硼酸酯键所形成的硼酸酯聚合物是一类"稳定性"与"动态性"高度协同的新型高分子."稳定性"是指硼酸基团或苯硼酸基团与1,2-二醇或1,3-二醇结构的小分子及聚合物的高效缩合能力以及对多羟基尤其是酚羟基的保护作用;"动态性"是指硼酸酯键在温度、pH和客体分子等刺激下的可逆断裂和成键.硼酸酯聚合物以其分子结构灵活的可设计性和链段间独特的B-N配位,在表面工程、智能材料、生物医学和储能等领域表现出广阔的应用前景.本文从分子砌块和自组装机制出发,综述了硼酸酯聚合物合成策略、性能、超分子行为以及应用领域,并展望了硼酸酯聚合物功能材料的发展方向.

摘要：由于AMD控制系统与结构之间存在着相互作用CSI(control-structure interaction),造成了以惯性质量为支撑点向被控结构施加的控制力不等于理论的最优控制力,即施加的控制力将有所滞后。为此,针对AMD控制系统建立了不计CSI效应、计低阶CSI效应和同时计低、高阶CSI效应的三种数学模型,经分析表明了计低、高阶CSI效应对AMD控制系统的影响最大,进而确定了由CSI效应造成的时变时滞的范围。针对某4层钢框架实验系统,基于保性能算法设计了相应的时变时滞补偿控制器,以系统控制效果、AMD控制力及行程为指标,对比了有无时滞的两种控制系统的性能,结果表明在较大的时变时滞的影响下,此控制算法依旧具有良好的控制效果以及稳定的控制参数。

摘要：拓扑电子材料因为具有非平庸的拓扑态,所以会展现出许多奇异的物理性质.本文通过第一性原理计算对应变调控下的烧绿石三元氧化物Tl_(2)Ta_(2)O_(7)中的拓扑相变进行了研究.首先分析了原子轨道投影能带,发现体系费米能级附近O原子的(px+py)与pz轨道发生了能带反转,再构造了紧束缚模型计算得到体系的Z2拓扑不变量确定了其拓扑非平庸性,最后研究了表面态等拓扑性质.研究发现未施加应变的Tl_(2)Ta_(2)O_(7)是一个在费米能级处具有二次能带交叉点的半金属,而平面内应变会破缺晶体对称性进而使体系发生拓扑相变.当对体系施加-1%的压缩应变时,它会转变为狄拉克半金属;当对体系施加1%的拉伸应变时,体系相变为拓扑绝缘体.本研究对于在三维材料中调控拓扑相变有着较重要的指导意义,并且为低能耗电子器件的设计提供了良好的材料平台.

摘要：为减小AMD控制系统的时滞影响,一般需对被控结构模型作减维处理,但是在减维过程中系统较小特征值对应相关的结构信息被直接舍弃,将使得低维结构缺少原结构高阶振型等信息,导致低维模型精度降低,影响控制器的设计准确性。在基于均衡截断法和极点配置算法的低维控制器设计中,重新考虑舍弃的结构高阶信息,该信息包括原结构的高阶自振频率、高阶阻尼比以及高阶振型模态信息等,并在进行极点配置之前,先考虑该部分信息对系统极点位置的影响,在控制系统的设计阶段消除了低维模型精度低的不利影响。以10层结构为例,基于改进的低维控制器,以系统控制效果、AMD控制力及行程峰值为指标,分析了低维模型对AMD控制系统性能的影响;并以4层框架实验模型的AMD控制系统为实例,验证上述数值分析结论的正确性。

摘要：为降低标签成本,增加编码容量而不增大标签的面积,提出了由多矩形缝隙环谐振器嵌套组成的无芯片标签,通过嵌套显著减小了标签尺寸;将标签制作在尺寸为35 mm×35 mm的F4BM-1/2介质基板上,通过矩形缝隙环的存在和缺失表示逻辑‘1’和‘0’进行标签编码,实现了12 bit编码容量的无芯片标签;在微波暗室里使用网络分析仪测试无芯片标签的读取距离,在距离收发天线50 cm处可以接收到正确的数据信号,仿真和测试结果取得了很好的一致性.