摘要：利用介孔SiO2作为硬模板,采用CH4N2S和Ni(CH4N2S)4作为前驱体,通过一步退火法成功制备了介孔S-g-C3N4负载NiS2复合光催化剂。利用介孔材料的有效传质效应;同时利用Ni-S配位原子层作为S-g-C3N4和NiS2的过渡连接层,确保了S-g-C3N4和NiS2间光生载流子的高效传输;最后利用非贵金属NiS2作为助催化剂来降低析氢过电位,促进H+的电催化还原,这为获得高效的g-C3N4基光催化产氢材料提高了保障。在光催化产氢性能测试中,介孔NiS2/S-g-C3N4复合材料表现出优异的光催化性能,在可见光下(λ≥420 nm)100-NiSCN样品的产氢性能达到141.33μmol/(g·h),是纯g-C3N4的46倍。该研究为制备高效的g-C3N4基光催化剂提供了一种简单、高效、经济的设计思路,并为大规模工业化生产及应用提供了理论基础。

摘要：通过比较分子力场分析方法(CoMFA)建立酚类化合物对梨形四膜虫极性麻醉毒性(p T)的三维定量结构-活性相关(3D-QSAR)模型。基于训练集41个化合物建立了预测模型,10个化合物作为验证集(含模板分子)。训练集的CoMFA模型显示立体场、静电场对麻醉毒性贡献依次为53.9%和46.1%。其交叉验证相关系数(R_(cv)^(2))为0.735,非交叉验证相关系数(R^(2))为0.971。对训练集、测试集中的化合物麻醉毒性进行预测,显示出较强的稳定性和良好的预测能力。根据CoMFA模型的立体场和静电场三维等势线图可知,在羟基的间、对位上引入小体积基团,以及邻、对位有负电性基团,有利于提高酚类衍生物的麻醉毒性。基于此,设计了7种具有更高麻醉毒性的酚类化合物,有待生物医学实验验证。

摘要：基于比较分子力场分析(CoMFA)方法建立24种培氟沙星均三唑硫醚衍生物对小鼠白血病细胞(L1210)抗增殖活性(pIC)的三维定量构效关系(3D-QSAR)。训练集中20个化合物用于建立预测模型,测试集8个化合物(含模板分子22及新设计的3个分子)作为模型验证。已建立的3D-QSAR模型的交叉验证系数(Rcv2)、非交叉验证系数(R2)分别为0.659和0.926,说明所建模型具有较强的稳定性和良好的预测能力。该模型中立体场、静电场贡献率依次为72.8%及27.2%,表明影响抗增殖活性(pIC)的主要因素是在苯环的4-位上引入小体积的负电性基团。基于三维等势图,设计了3个具有较高抗增殖活性的分子,有待医学实验验证。

摘要：应用比较分子力场分析法(CoMFA)研究了18种氟喹诺酮三唑啉酮衍生物对人白血病HL60细胞的体外抗增殖活性(pH)。建立的模型在高相关系数值(R2=0.969)和交叉验证系数值(R2cv=0.473)方面显示出良好的相关和预测能力。空间场和静电场对pH的贡献分别为58.5%和41.5%。基于CoMFA等高线图,揭示了该系列化合物抗增殖活性的一些关键结构因素,如疏水作用、空穴契合、库仑力及氢键等。这些结果为理解其作用机制、设计具有高抗增殖活性的新型氟喹诺酮三唑啉酮类化合物以及预测其活性提供了有益的理论参考。

摘要：目的:建立嘧啶苯磺酰脲衍生物(PSU)对小麦纹枯病菌杀菌活性(T_c)和电性距离矢量(E_v)的定量构效关系(QSAR)模型,探讨影响T_c的结构因素.方法:基于拓扑方法计算了15种嘧啶苯磺酰脲衍生物的电性距离矢量.通过最佳变量子集回归建立这些化合物的T_c与E_v的多个QSAR模型.结果:其中最佳三元数学模型的判定系数(R^2)及逐一剔除法的交叉验证相关系数(R_(cv)~2)分别为0.851和0.738.经统计指标诊断,所建模型具有良好的稳健性及预测能力.结论:根据进入此模型的E_(62),E_(59)和E_(27)可知,影响嘧啶苯磺酰脲衍生物对小麦纹枯病菌杀菌活性的主要因素是分子的二维结构特征—NH—,≥S≤,—OH,—CH_gC<等结构碎片.由结构修饰提出3种化合物的抑菌活性(T%)均超出96.5%,有待以后生物实验予以证实.

摘要：以1,2-双(二苯基膦)乙烷(dppe)、1,4-双(二苯基膦)丁烷(dppb)和卤化亚铜作为初始原料,合成得到1个三核铜(I)溴化物[{Cu2(μ-dppe)(μ-Br)2}(μ-dppe)2CuBr](1)和1个双核铜(I)碘化物[{Cu(dppb)I}2(μ-dppb)](2).X-射线单晶衍射表明:配合物1为三核铜配合物,Cu1和Cu2两原子采用常见的四配位方式,分别与2个Br原子和2个P原子连接构成1个变型四面体,而Cu3原子采取三配位模式,与1个Br和2个P原子相连接形成1个平面三角形,Cu1、Cu2和Cu3这3个铜原子又共同构成了1个近似等腰的平面三角形;配合物2为双核铜配合物,3个dppb配体表现出2种配位方式:2个以二齿螯合方式分别与1个Cu原子连接,1个以桥联方式与2个相同的{Cu(dppb)I}砌块相连接.