摘要：为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器。电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05~10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA。

摘要：为了实现具有高Q值电容电感的小型化滤波器,采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺分别构建了垂直螺旋式电感和垂直直插式电容,利用电容电感的参数提取公式并结合HFSS软件进行优化仿真,获得具有高Q值的电容电感模型,并根据此模型来设计一款DC-500 MHz小型化低通滤波器。最终经过实际测试表明该低通滤波器性能为:在0~500 MHz插入损耗优于-0.5 dB,回波损耗优于-18 dB,带外抑制在1 GHz处有-30 dB,在1.5 GHz处有-50 dB。

摘要：针对功率回退时主路功率放大器不能有效进入饱和状态导致Doherty功率放大器回退效率低的问题,通过降低主路功率放大器的供电电压,实现了高回退效率,同时增大辅路功放管的尺寸弥补了电路的总输出功率。基于0. 1μm GaAs pHMET工艺,设计了一个26 GHz两级非对称的Doherty功率放大器。仿真结果表明,在26 GHz时增益达到16 dB,功放的饱和输出功率为27. 4 dBm,峰值功率附加效率(PAE)为40. 7%,输出功率回退7 dB时PAE仍达到38%,与传统Doherty功率放大器相比具有更高的回退效率,版图的尺寸为3. 2 mm×2. 2 mm。

摘要：为了提高频率综合器的性能,基于源极耦合逻辑(Source Coupled Logic)电路设计了一种集成4/5分和8/9分的异步预分频器。通过分析SCL电路结构的工作原理和触发器的不同电路结构,在不降低电路工作频率和不增大电路功耗的前提下,利用模式控制电路和传输门将4/5分频器和8/9分频器集成在一个电路中,拓宽了分频器的输出分频范围。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真。该预分频器在电源电压为1.8 V,尾电流源为50μA的条件下,电路最高工作频率可达8 GHz,功耗仅为6 mW。

摘要：采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器。该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作。仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm。

摘要：根据JESD204B协议,设计了一种应用于8 Gsps 12 bit模数转换器(analog-to-digital,ADC)接口电路中的8B10B编码器。该编码器采用双字节并行实现方案将系统时钟由500 MHz降低至250 MHz,通过添加1 bit均衡指示位,使得极性信息先于编码结果产生,减少了极性计算与传递引起的延迟;使用负极性编码,减小对查找表资源的使用。实验结果表明,该编码器能够支持12.9 Gbps的最大通道传输速率,相比级联型编码器和单字节编码器数据传输速率更高。所设计的编码器能够满足8 Gsps 12 bit模数转换器的应用需求。