摘要：基于全耗尽SOI CMOS工艺,建立了具有Si Ge沟道的SOI MOS器件结构模型,并利用ISE TCAD器件模拟软件,对Si Ge SOI CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明,引入Si Ge沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导(当Ge组分为0.3时,驱动电流提高39.3%,跨导提高38.4%),CMOS电路的速度显著提高;在一定的Ge总量下,改变Ge的分布,当沟道区呈正向递减式分布时,电路速度最快。

摘要：研究了一种基于深反应离子刻蚀(DRIE)中notching效应的MEMS单步干法制造工艺.首先,基于DRIE刻蚀SOI硅片时notching现象产生的机理,设计了多种不同线宽的槽结构,验证notching效应的发生条件.实验结果表明,对于所采用的具有30μm器件层的SOI硅片,发生notching现象的临界槽宽为12μm,而notching释放的极限结构宽度同样为12μm.其次,为实现大面积结构的notching释放,研究了正方形、矩形、三角形及六边形等4种典型释放孔结构的干法释放效果.实验结果表明,六边形释放孔不但能够快速有效地释放结构,同时还能降低notch-ing效应的磨损,有利于惯性MEMS器件的加工.最后,设计了一种Z轴微机械陀螺结构以验证提出的设计及工艺.加工及测试结果表明,所提出的单步干法制造工艺完全满足微机械陀螺设计加工要求,工艺简单、成品率高,所测试的陀螺在常压下即可达到122的品质因数.

摘要：为了进一步揭示脑深部电刺激术中微脑电极的结构与电刺激参数之间的关联作用对神经活动的抑制机理,利用有限元方法,研究微脑电极刺激触点结构对其作用区域的刺激范围和刺激程度.分析结果表明,电极触点阵列,特别是触点长度和触点间距是微脑电极结构尺寸中的关键因素,也是对脑电极作用区域影响最大的结构尺寸.电极触点长度或触点间距的增加将会增大对脑部的刺激强度和刺激范围,同时触点长度2倍于触点间距将使得脑部的刺激更加平稳、有效.电极触点长度和触点间距不仅直接影响其作用位置,而且影响其对脑部作用区域的刺激强度和刺激范围的变化规律.研究结果为微脑电极的构建提供了新的设计依据.

摘要：目的给出一种单电源BiCM0S四象限模拟乘法器的电路结构。方法采用电压平移技术和带有共模反馈的全差分折叠共源共栅OTA以提高传统四象限模拟乘法器线性输入范围。结果在5 V单电源供电情况下,该乘法器的输入线性范围约为±2.5 V,当输入电压范围限于±2 V时,总谐波失真和非线性误差均小于0.9%,-3 dB带宽大于100 MHz,功耗小于4.9 mW。结论该单电源BiCM0S四象限模拟乘法器具有良好的线性度和较大的-3dB带宽,以及较强的抗噪能力和抑止共模干扰信号的能力,该乘法器可以广泛地应用于模拟信号处理系统和数模混合系统中。

摘要：为降低总谐波失真提高电源效率,基于单周期临界导通功率因数校正(PFC)转换器,研究了零交越失真现象的优化设计方法.采用周期性自启动定时电路,不论电感电流是否下降到零,及时触发新的开关周期,以避免由于电感反向漏电所引入的导通延迟,从而降低了零交越失真和总谐波失真;在辅助绕组和振荡器之间引入可调分流电阻,对电感电流进行实时监控,调整振荡器输出波形斜率,以控制PWM关断时间,有效改善输入电压零交越点附近的失真现象.输入线电压频率越高,优化效果越好.在50Hz 220 VAC条件下,输入电流为120mA,输出功率为36W,测得优化后的PFC转换器总谐波失真(THD)仅为3.8%,功率因数为0.988,负载调整率为3%,线性调整率小于1%,效率达到97.3%.理论和测试结果均表明:当交流输入线电压接近零值时,优化后系统的零交越失真及THD得到了有效降低,有效芯片面积为1.61mm×1.52mm.

摘要：针对目前便携式设备对多电源供电的要求,提出了一种内嵌于DC/DC转换器中的高精度通用串行总线(USB)电源管理器。对该电源管理器的结构原理进行了分析,并用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行模拟。经Cadence仿真证明了USB电源管理器的可行性和可靠性。所设计的电源管理器实现了USB接口电流的精确限制(最大误差2%),设置最大供给电流为500 mA,满足USB接口的国际规范。

摘要：基于三极管BE结电压的负温度特性原理，提出了一种零温度系数电流基准电路。该电路具有结构简单、无需带隙基准单元、静态功耗低、启动快速、对电源电压不敏感等优点，实用性高。在0．5um标准CMOS工艺下，Hspice模拟结果显示，在25℃、1．8～5．5V范围内，基准电流变化0．019uA；在1．8V、-40℃～125℃范围内，基准电流变化0．09uA。该新方案可用于无需电压基准、低功耗、需要快速启动的混合信号系统设计。

摘要：微电极是脑深部刺激治疗的关键器件。工作时,通过电极上的刺激触点对脑深部作用区域进行电刺激以治疗患者的运动失调症状。文章应用有限元分析软件ANSYS进行微电极对脑深部作用区域刺激过程的计算机仿真,计算和建立刺激触点长度、刺激触点间距等微电极的结构参数与脑部作用区域的刺激强度和刺激范围的关系。结果表明,随着微电极上触点长度和触点间距的增加,脑深部作用区域的刺激强度和刺激范围均有不同程度的增大。分析结果为微电极的改进设计提供了理论依据。

摘要：提出了一种新颖的可提高Buck型DC/DC转换器带载能力的斜坡补偿设计。针对电流模DC/DC转换器在大占空比下的不稳定性,以及采用斜坡补偿后系统带载能力下降等问题,通过产生分段线性斜坡补偿信号并进行箝位,既保证了系统的稳定性,又提高了系统的带载能力。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,在不同的温度与电源电压下,经Hspice仿真验证,达到设计目标。

摘要：设计了一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器。该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗。采用TSMC 0.18μmCMOS工艺,基于BSIM3V3 Spice模型,用HSpice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用。目前,该放大器已应用于14位∑-Δ模/数转换电路的设计中。