摘要：采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏置对传统鞍型电势有所偏离,并讨论了栅极结构和外加偏压对电势分布影响的规律,对QPC传感器设计具有指导作用。

摘要：简要分析了峰值电流控制模式升压变换器的不稳定性及其原因,阐述了斜坡补偿的基本原理和设计问题。对基本的多谐振荡器电路进行了改进和优化设计,设计了适用于峰值电流模式PWM升压型DC-DC变换器斜坡补偿电路中的CMOS斜升波发生器电路。该电路基于UMC BiCMOS工艺设计,经HSpice仿真验证达到了设计目标,性能有很大改善,满足了芯片的需要。

摘要：针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。

摘要：本文设计了一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器。该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,基于BSIM3V3Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用。目前,该放大器已应用于14位∑-△模/数转换电路的设计中。

摘要：为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。

摘要：针对目前大多数系统级芯片对多电源供电的要求,设计了一款嵌入式通用串行总线(USB)功率控制器,并对该控制器进行了理论分析。其中主要阐述了电路内部自动进行电流采样和限流电路的工作原理及实现方法。USB功率控制器严格地将输出电流限制为500mA/100mA。在CSMC0.5μmCMOS工艺上,利用Cadence仿真平台进行验证,结果表明,在所有条件下,从USB总线吸收的电流均受到精确的限制,仿真结果符合理论分析。

摘要：为了降低流水线模数转换器中数字校准电路的规模和功耗，提出了一种新的基于信号统计规律的后台数字校准技术．该技术采用自适应搜索算法和二元单调函数的幅值增量比较算法，分别对基于信号统计规律的数字校准技术中的距离估计电路和查找表进行了优化设计，减少了距离估计所需的数字电路和查找表所需的ROM空间，极大地降低了数字电路的规模和功耗．应用该校准技术实现了一个12位、采样率为4×10^7s^-1的流水线模数转换器．测试结果表明，同优化前相比，该芯片数字电路的功耗降低了93％，

摘要：设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)中的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix0.5μm CMOS模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1mA变化至300mA时,系统环路增益的0dB带宽保持在70kHz到100kHz之间,相位裕度保持在60o以上,保证了LDO稳压器在全负载范围内均能稳定工作。

摘要：电源电压过低时,开关电源转换器中的带隙基准源及误差放大器不能正常工作,针对这一问题提出了一款低电压具有带隙结构的误差放大器。本文阐述了该结构的工作原理,并对整体结构进行分析。采用0.8μm BiCMOS工艺,在1.4V的电源电压下,通过HSPICE进行前仿真验证,得到其开环增益为63.4dB,电源抑制比为106.4dB。

摘要：存储器在SOC中所占的电路面积越来越大,因此存储器的正确与否影响着SOC芯片的成品率。存储器中的故障种类繁多,单一的测试方法不能保证所有故障的100%覆盖率。文章通过对广泛应用的March算法的分析,提出了一种可重配置的存储器测试方法。在该方法中通过设置一组控制寄存器就可以灵活地实现各种March算法。另外,采用资源复用的方法,在嵌入式微处理器核中增加了一个有限状态机、几个控制寄存器和几条专门用于存储器测试的指令,可以方便地实现各种March算法,并且硬件开销非常小。