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12位100MS/s ADC中采样/保持电路的分析与设计
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《微电子学与计算机》2007年 第11期24卷 8-13页
作者:张凯 周贵贤 刘烨 陈贵灿 程军西安交通大学微电子研究所陕西西安710049 
设计了一种高性能的采样保持(S/H)电路,在1.8V的电源电压下,其性能满足12位精度、100MS/s转换速率的ADC的要求。设计中采用了一种新型的自举采样开关,提高了S/H电路的可靠性和线性度;对于高增益大带宽的运算跨导放大器OTA的带宽设计,在...
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大输出微控制力矩陀螺的设计
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《传感技术学报》2011年 第8期24卷 1126-1130页
作者:常洪龙 白滨 焦文龙 谢建兵 秦子明 苑伟政西北工业大学微/纳米系统陕西省重点实验室西安710072 
为了提高微控制力矩陀螺的输出力矩,提出了一种微型控制力矩陀螺的设计方案。所设计的微型控制力矩陀螺用角振动代替了传统控制力矩陀螺的转动,由转子角振动系统及框架角振动系统组成,实现了基于科氏效应的控制力矩输出。通过框架角振...
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单片集成TFT-LCD手机驱动芯片内置稳压器的设计
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《液晶与显示》2008年 第2期23卷 225-229页
作者:陈升 魏廷存 樊晓桠西北工业大学教育部嵌入式系统集成工程研究中心陕西西安710072 
研究并设计了一种用于单片集成TFT-LCD手机驱动芯片的稳压器电路,该电路产生恒定的直流电压(1.8V)给芯片内的逻辑控制电路和GRAM提供工作电源。在详细分析带隙基准电路和LDO电路的基础上,提出了一种负载调整率低、稳定性能好、温度系数...
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GaN高电子迁移率晶体管的研究进展
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《电力电子技术》2008年 第12期42卷 63-66页
作者:张金风 郝跃西安电子科技大学、宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071 
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN微波功率器件的主要形式,是第3代半导体技术领域发展和竞争的焦点。针对GaN HEMT的目标特性和电流崩塌现象,从材料结构设计和器件设计两方面概括了十几年来GaN HEMT器件性能优化的研究方法,并给出了国...
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TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵的优化
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《液晶与显示》2007年 第3期22卷 346-350页
作者:吕丽峰 魏廷存 高武西北工业大学航空微电子中心陕西西安710072 
根据手机用TFT-LCD的显示和驱动要求,优化设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电荷泵升压电路。使用0.25μm CMOS高压工艺的HSPICE仿真结果表明,与传统的电荷泵电路相比,优化后的电荷电压稳定速度提高将近一倍,升压效率和功率效率分别提...
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H型栅/源漏非对称结构CMOS在PDSOI标准单元建库中的应用
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《科学技术与工程》2009年 第10期9卷 2597-2600,2606页
作者:赵德益 吴龙胜 于洪波 刘佑宝西安微电子技术研究所西安710075 
基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片。
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带有软启动电路的高精密CMOS带隙基准源
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《微电子学与计算机》2007年 第6期24卷 84-87,90页
作者:张强 田泽 王进军 刘宁 王谨西北大学信息科学与技术学院陕西西安710127 
提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293V,在1.5V~4V的电源电压范围内基准随输入电压的最大...
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多功能铁电材料测试系统的硬件设计与开发
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《现代电子技术》2008年 第10期31卷 21-23页
作者:高江华 史翔 杜慧玲西安科技大学陕西西安710054 
为了提高铁电材料性能测试设备的集成度、重复性和极化安全性,介绍自行开发的多功能铁电材料测试系统的硬件结构与设计原则和思路,主要包括极化装置的设计与加工、积分放大电路的设计、硬件之间的连接、分析软件的编写、软硬件之间的通...
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基于有限包络圆族的任意形状组件紧凑布局优化
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《机械设计与制造》2008年 第11期 68-70页
作者:方亮 张卫红 张桥西北工业大学现代设计与集成制造技术教育部重点实验室西安710072 
任意形状组件的布局优化在理论上属于NP完全问题,由于实际形状的复杂性和任意性以及迭代计算量问题,求解十分困难。现有的研究大多是针对规则形状组件,而已有的对于不规则组件布局问题的研究,约束关系判断太复杂且计算量庞大。在运用于...
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