摘要：金刚石作为新型宽禁带半导体材料具有成本低、无毒性和化学稳定性能好的优点,是紫外光电二极管的理想原材料之一,对代替目前普遍应用的含有稀有贵金属元素的紫外光电二极管有着积极的推动作用。在Silvaco软件Atlas模块上对日盲紫外硅/金刚石异质结光电二极管进行深入的分析,探讨其厚度、掺杂浓度与光电二极管暗电流、光谱响应、瞬态响应之间的关系,得到了光电二极管优化后的暗电流、反向击穿电压和掺杂浓度值。模拟仿真结果显示,该pin型硅/金刚石异质结光电二极管在10~220 nm范围内的响应灵敏度优于pn型器件,当器件波长为220 nm时,其响应电流最高达1.7×10^(-11)A,并且pin型硅/金刚石异质结光电二极管的暗电流比该pn型器件低,约为5.6×10^(-15)A。此模拟计算数据为进一步优化硅/金刚石光电二极管结构及实验制备奠定了理论基础。

摘要：Mg_(2)Si作为一种天然丰富的环保材料,在近红外波段吸收系数高,应用于光电二极管中对替代市面上普遍使用的含有毒元素的红外探测器具有重要意义.采用Silvaco软件中Atlas模块构建出以Mg_(2)Si为吸收层的吸收层、电荷层和倍增层分离结构Mg_(2)Si/Si雪崩光电二极管,研究了电荷层和倍增层的厚度以及掺杂浓度对雪崩光电二极管的内部电场分布、穿通电压、击穿电压、C-V特性和瞬态响应的影响,分析了偏置电压对IV特性和光谱响应的影响,得到了雪崩光电二极管初步优化后的穿通电压、击穿电压、暗电流密度、增益系数(Mn)和雪崩效应后对器件电流的放大倍数(M).当入射光波长为1.31μm,光功率为0.01 W/cm^(2)时,光电二极管的穿通电压为17.5 V,击穿电压为50 V,在外加偏压为47.5 V(0.95倍击穿电压)下,器件的光谱响应在波长为1.1μm处取得峰值25 A/W,暗电流密度约为3.6×10^(-5) A/cm^(2),M_(n)为19.6,且M_(n)在器件击穿时有最大值为102,M为75.4.根据模拟计算结果,优化了器件结构参数,为高性能的器件结构设计和实验制备提供理论指导.

摘要：本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0.6~1.5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1.11μm时,响应度最高达到0.742 A·W^-1,1.31μm处响应度为0.53 A·W^-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10^-6 A·cm^-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×10^11 cm^-2。

摘要：基于深度学习的司法判罚研究有助于缓解司法行业案多人少以及同案不同判的问题,提高司法判罚效率。文章基于深度学习技术建立司法判罚模型,主要实现罪名预测功能。对司法文本数据进行分析以及处理,通过提取要素维度关键特征的方式区分易混淆罪名。建立基于CNN+GRU-Attention(Gated Recurrent Unit-Attention)的司法判罚模型,在模型输出层加入分组focal loss损失函数,解决罪名分布不均衡问题,根据模型评估指标进行模型验证以及对比分析。建立基于深度学习的司法判罚系统,系统以模型为核心,主要实现罪名分类功能,通过对系统的测试,验证了其有效性。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi_(2)的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi_(2)的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi_(2)的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi_(2)的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi_(2)在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi_(2)介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi_(2)在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi_(2)吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi_(2)几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi_(2)吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi_(2)对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi_(2)光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi_(2)光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi_(2)的光响应范围。研究结果为CrSi_(2)基光电器件的应用与设计提供了理论依据。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了未掺杂Mg2Si以及Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构和光学性质。计算结果表明:Na掺杂Mg2Si后,费米能级进入价带,呈p型导电;Lu掺杂Mg2Si后,费米能级进入导带,呈n型导电。未掺杂Mg2Si对于能量低于0.5 eV的光子几乎不吸收,但Na、Lu掺杂的Mg2Si对于能量低于0.5 eV的光子还存在较大的吸收,即Na、Lu掺杂改善了Mg2Si对红外光子的吸收。掺杂后,可见光区的吸收系数与反射率明显减小,这说明掺杂的Mg2Si在可见光区的透过率增大。计算结果为Mg2Si基光电器件的设计与应用提供了理论依据。

摘要：为了满足在高压且大范围的电压条件下都能稳定输出一个电压,且有快速恢复时间和较小的过冲电压。本文基于华虹0.18μm BCD工艺设计了一款在高压下拥有宽范围输入电压8~40 V且在-50℃~165℃都能稳定输出5 V的LDO。并在带隙基准电路进行改进,采用无放大器的方法产生1.23 V的基准电压,温度系数达到10 ppm/℃。采取片外电容的方法和Buffer来分别提高电路的瞬态负载调整率和驱动电流,电路最大可驱动100 mA的负载。在负载为100 mA下,上冲电压和下冲电压也都分别为83 mV和79 mV,电压瞬态响应时间也在6μs左右。

摘要：在嵌入式系统下借助语音识别技术设计一套无线控制系统,通过此系统对传统家电进行一些常规的语音与界面人机交互操作,实现包括多设备交互控制、网络连接、数据显示等功能,这将极大提升家居生活的便利性和舒适性。系统采用基于高级精简指令集机器(advanced RISC machine,ARM)处理器+Linux+语音识别库+无线传感器网络的方案,主要包括硬件电路设计和软件开发,控制系统利用语音识别技术对声音进行识别,借助ZigBee模块进行主控系统与终端设备的交互。与传统产品相比,该交互式家居语音控制系统提供多样的识别、交互模式,创新的控制模式及更大范围的识别距离。

摘要：针对循环神经网络(Recurrent Neural Network,RNN)模型在序列流推荐中只能从宏观上捕捉序列的演变模式,忽略了物品(Item)间内部的微观联系,无法长程建模序列数据的变化规律的问题,提出了多维度序列建模算法循环时间卷积网络(Recurrent Temporal Convolutional Network,RTCN)。首先,将每个物品表示成定长向量,采用多层因果卷积和扩张卷积操作扩大感受野范围,建立序列元素间的长程依赖关系。利用残差连接网络提取不同层次的特征信息,解决反向传播中梯度衰减甚至消失的问题。综合设计时间卷积网络(Temporal Convolutional Network,TCN)提取序列流中前后物品间的局部特征,将物品信息映射到隐藏空间,得到细粒度的特征向量。为进一步建立元素间的宏观联系,将特征向量依次输入门限循环单元(Gated Recurrent Unit,GRU),迭代更新现有隐藏状态并预测下一时刻的输出。RTCN通过时间卷积网络,从输入序列流提取出长时间、多维度、细粒度的局部关联特征;经过门限循环网络,建模序列间的长距离依赖关系,捕捉序列元素的演变模式,并预测下一个出现的物品。利用网站、手机应用和音乐3个不同场景中的数据对模型进行了实验。实验结果显示,RTCN模型在召回率(Recall)和平均排序倒数(MRR)两个指标上比RNN模型高出6%~13%,比传统推荐算法高出9%~59%。通过对比不同的损失函数,模型在交叉熵损失函数下表现最优。此外,由于TCN中的卷积层具有多通道的结构,当数据维度丰富时,该模型对物品和用户的上下文信息具有很强的综合能力。

摘要：针对现有空中手写技术存在的不足,提出了一种改进方案。增加初始化设置环节,利用惯性传感器进行数据采集,以"激光-平面定位法"实现远距离空间坐标的获取,并将数据实时传输至电脑端进行处理。增加了现有技术未考虑到的显示屏幕与电子笔的实际空间大小、相对位置和指向等数据的获取,并建立这些数据之间的对应关系,实现电脑光标与手写笔笔尖的位置和轨迹唯一对应。按照改进的方案,在不用触控屏的情况下,可在显示屏幕上实现精准触控,并还原真实书写的效果。