摘要：进入新世纪以来,世界电影文化产业发展迅猛,出现了新的发展趋势。电影文化产业要想健康、可持续发展,就必须依靠和利用电影共同消费的特性,将电影作为可持续消费的产品,形成持续性盈利模式,明确电影产业自身定位和产业属性,建立并逐步完善大电影产业链。符合影视文化产业发展的需要,贯彻电影市场观念,建立并逐步完善大电影产业链是长影集团新世纪发展的必由之路。而充分挖掘电影文化旅游资源、扩大电影电视栏目化运作、加强产业融合与影视文化传播方式转变,是长影集团影视资源衍生价值开发和影视文化拓展的重要环节。长影集团的探索也必将成为国有电影制片厂产业化转型的典型性样本。

摘要：设计了一种"三明治"阻燃结构涂层油画布,对比分析了阻燃结构类型,阻燃剂类型及用量对油画布阻燃性能的影响,并对聚磷酸铵类"三明治"阻燃结构油画布的阻燃机理进行了初步探讨。

摘要：库尔特原理是一种利用微粒随导电液通过电敏感区域时形成的脉冲信号来测量微粒的尺寸和数量的电学方法。目前库尔特计数器主要通过两种方法制作检测电极,一是直插法,二是利用微纳加工(MEMS)图形化工艺在微流道内部集成微电极。直插法常采用电化学稳定金属如铂丝插入开孔芯片作为检测电极,存在易引入气泡、检测灵敏度较低等缺点;微纳加工集成电极方式工艺复杂,制作成本高,且难与检测芯片流道集成。本文介绍了一种基于RPS(resistive pulse sensing)检测方式的新型微流控库尔特计数器。该芯片使用微管道直接灌注液态金属制作三维检测电极,通过微尺度下的毛细限制阀作用使液态金属电极凝固后精确限制在相关区域内。通过对检测区域的尺寸设计以及电极位置的精确控制,我们制作了秀丽隐杆线虫计数芯片。实验证明该方法制造工艺简单方便、电极位置准确性好、检测时稳定快、提高了检测信噪比。

摘要：结合隧道震害实例,对隧道震害进行了分析研究,总结了隧道震害特征,探讨了隧道震害的作用机理及其影响因素,以期对隧道的抗震设计提供科学依据和有益的参考。

摘要：教育现代化为我国学前教育发展迎来契机。然而,学前教育条件亟待改善,教育质量不高,入学机会需增加、普惠性办园需加大等问题制约着学前教育现代化的进程。为解决这些问题,该研究基于学龄人口预测,认为学前教育现代化的实现需从数量扩充到质量提升转型,从统一推进到因地制宜,从市场主导到政府主导战略转型。建议均衡教育机会;坚持监管并重,提高保教质量;合理配置学前教育资源,改善教育条件。最后研究以X市学前教育现代化研究为例,进行实证研究,从全国和地区两个层面分析学前教育现代化进程中的挑战,提出对策建议。

摘要：为了研究薄钢板的非熔透激光焊接的焊接质量,采用光纤激光及CO_2脉冲激光对SUS304奥氏体不锈钢和SPCC冷轧碳钢薄板进行了非熔透搭接焊试验,分析了影响非熔透激光焊接的主要因素,并对接头的组织和力学性能进行了测试,得出激光功率、焊接速率、离焦量、脉冲频率、占空比等主要工艺参量对焊缝成形及试件性能的影响规律。结果表明,在适宜的焊接工艺参量下,非熔透激光焊接焊缝形貌平整连续;焊缝强度达到母材强度的50%以上;焊缝区的显微硬度高于母材。

摘要：针对超大型船用卷板机自动控制系统在集成化、智能化和可视化方面的要求,设计了某超大船用卷板机卷制过程的自动控制系统,完成了软硬件系统的开发;设计了全LED仿真监控系统,实现了卷板机操作的简单、快捷、可靠;通过卷板加工工艺试验,建立相应卷制工艺数据库,实现了工件加工参数的智能选择,从而实现工艺优化并缩短加工产品的时间,大幅提高了加工精度。

摘要：基于UniGraphics软件环境的组装刀具参数化装配体设计技术,通过Visual Studio程序化操作,快速生成组装刀具三维装配,完成装配关系数据库,提高组装刀具设计制造技术水平。

摘要：首先介绍了刀具-薄璧深腔框类零件铣削力的计算方法,通过对铣刀弯曲模型的刚度等效简化了刀具弯曲变形的计算,在此基础上研究了刀具弯曲对加工表面质量的影响规律,针对实际加工案例,设计多种铣削方案进行仿真计算比较,综合考虑表面加工精度、铣削效率和刀具耐用度,找到较佳的加工方案,保证了薄壁深腔零件加工的高效高精度。

摘要：An SOI MOSFET with FINFET structure is simulated using a 3 D simulator. I V characteristics and sub threshold characteristics,as well as the short channel effect(SCE) are carefully *** can be well controlled by reducing fin *** performance can be achieved with thin height,so fin height is considered as a key parameter in device *** results show that FINFETs present performance superior to conventional single gate devices.