摘要：通过分割查找表,并利用FIR线性滤波器的对称性改进并行分布式算法,以减小查找表的规模,采用Kaiser窗设计了一种18阶低通FIR数字滤波器。应用Verilog-HDL完成各个功能模块和整个滤波器系统的设计。采用Quartus II软件对顶层模块进行综合与仿真,结果显示所设计的FIR低通滤波器的最小阻带衰减AS=-30d B,带内波动<1d B,截止频率ωωc=0.4π,且过渡带△ω=0.2π。利用Matlab对仿真结果进行分析,验证所设计的FIR数字滤波器功能完全正确。

摘要：基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过冲状态下开启从LDO输出端到地的快速放电通路,欠冲电压改善电路通过电容耦合获得反映LDO输出电压瞬态变化的采样信号,经反向放大后加速功率管栅极电容放电,进而通过功率管对LDO输出电容充电。仿真结果表明,在TT工艺角下该低压差线性稳压器的空载相位裕度为64.57°,满载相位裕度为62.58°,过冲电压为40 m V,欠冲电压为97.6 m V,线性调整率为0.733‰;负载调整率19μV/m A;电源电压抑制比(PSRR)为-73 d B。

摘要：利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。

摘要：设计了矩形谐振腔与Metal-Insulator-Metal(简称MIM结构)二维直波导耦合的表面等离激元传感器,通过有限元方法分析了其特性.研究结果表明,随着谐振腔长度的增加,透射峰出现线性红移;谐振腔的非对称性增加使得透射峰宽度变窄,透射率变低;共振波长与介质敏感材料的折射率存在明显的线性关系,灵敏度可以达到560 nm/RIU的同时透射率高达90%.