摘要：提出一种根据目标背景图像生成仿造数码迷彩的设计方法.首先将背景图案进行颜色空间转换,采用K均值聚类分析方法提取背景主色.由侦测距离确定数码单元的最小尺寸,最后生成数码迷彩斑块.迷彩的伪装效果通过Canny边缘检测算子进行评估.实验结果表明,利用该方法生成的仿造数码迷彩可有效改变目标的原有轮廓,使之更好地与周围背景相融合,达到良好的伪装效果.

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摘要：为了研究离子源所发射出的离子能量分布规律,本文采用离子光学模拟软件Simion7.0对四栅网离子能量分析仪中网格参数进行了相关模拟实验,理论分析表明,栅网透射率对离子能量的测试有一定影响,在设计栅网式离子能量分析仪时应根据所测等离子体的特性确定网格大小和网格间距。采用研制的四栅网离子能量分析仪对宽束冷阴极离子源在不同条件下的离子能量分布进行了实验测试,测试结果表明,离子源的工作真空度越低,测得的离子平均能量越小;当改变离子源的引出电压时,离子平均能量测试误差小于2%。

摘要：高新科技不仅开创了一个数字化的崭新时代,而且也开启了一个媒介网络化的全新的后现代进程。网络既为媒介提供了划时代的新媒体,同时又开启了一个无极传播的新世纪,电视剧也因此而获得了可以突破时空限制的无极传播的新格局。电视剧的传播广度、传播深度、传播幅度、传播速度等与传统传媒时代相比都有了质的飞跃。

摘要：等离子体中离子能量的分布是离子束加工技术的关键参数之一。本文基于栅网式离子能量测试原理,采用离子光学模拟软件Simion7.0对栅网式离子能量分析仪的网格大小和网格间距进行了理论分析,这两个几何结构参数影响着离子能量的测试。理论分析结果表明,在离子能量为800 eV左右时,网格尺寸的大小会影响离子能量的测量精度,网格间距的大小对离子能量的测量结果几乎不产生影响。本文的研究结果对栅网式离子能量测试装置的设计及网格参数的优化具有重要的理论和实践指导意义。

摘要：为了解决激光二极管端面泵浦激光棒引起的热效应问题,基于热传导理论,建构了热传导方程新的本征函数解,得出了激光棒内温度场与热形变场的一般解析表达式.该表达式不仅解决了由于棒内热流线径向假设造成的温场计算误差问题,而且解决了使用数值分析方法带来的计算精度不高的问题.研究结果表明,当激光二极管的泵浦功率为20 W、泵浦光斑高斯半径为200μm时,掺钕离子质量分数为0.5%的钒酸钇激光棒泵浦端面具有451.2℃的最高温升和3.42μm的最大热形变量.对激光棒内等温线分布状态分析可以得出,其热流线为非径向分布.与棒内热流线径向假设计算结果对比,激光棒的最高温升值减小了30%.所得结果可以用于激光谐振腔的设计,为减小激光系统的热效应问题提供了理论依据.

摘要：随着数字时代的到来,先进的计算机技术有效解决了文字的数字化问题,插画设计逐渐应用到生活的方方面面,在广告、电影等领域中都有所涉及。传统插画与传播媒介之间的联系正在逐渐加深,数字插画设计在广告中也展现出自身独特的功能与美学价值。

摘要：为解决激光二极管(LD)端面抽运激光介质产生的热效应问题,建立了端面绝热、周边恒温、界面热流连续的YAG-Nd:YAG复合晶体棒热分析模型。利用特征函数法和常数变异法得到了超高斯光束端面抽运YAG-Nd:YAG复合晶体棒温度场的一般解析表达式。同时定量分析了超高斯抽运光光斑尺寸,光束阶次,YAG晶体长度对YAG-Nd:YAG复合晶体棒温度场的影响。研究结果表明,若LD输出功率为50 W,光学耦合器传输效率为82%,4阶超高斯光束端面抽运YAG-Nd:YAG复合晶体棒时,复合晶体棒内最大温升为132.7℃,其中YAG晶体长为1.5 mm,Nd:YAG晶体长5 mm,钕离子掺杂质量分数为1.0%。研究结果为减小激光晶体热效应、合理设计激光器热稳腔提供了依据。

摘要：在考虑折射率色散效应基础上,以加权平均反射率作为评价函数,通过智能优化算法对空间硅太阳电池减反射膜进行优化设计,得到了最佳的膜厚参数,并与不考虑色散下设计的减反射膜进行了比较。对MgF_2/TiO_2,SiO_2/TiO_2双层减反射膜,与不考虑色散情形相比,考虑色散下优化后的最小加权平均反射率分别减小了36.6%和37.6%;对具有厚度为15 nm的SiO_2钝化层的硅太阳电池的MgF_2/TiO_2,SiO_2/TiO_2减反射膜重新优化设计,与不考虑色散情形相比,考虑色散下优化后的最小加权平均反射率分别减小了43.9%和33.7%;对具有不同厚度钝化层的空间硅太阳电池,在考虑色散下进行了减反射膜的优化设计。结果发现,随着钝化层厚度的增加,所得减反射膜的最小加权平均反射率也随之增大,减反射效果越来越弱。最后,在考虑与未考虑色散情形下,将钝化层膜厚也作为反演参量后重新设计。结果表明:在色散情形下所设计的减反射膜更佳,对于MgF_2/TiO_2/SiO_2(钝化层)膜系,最佳膜厚参量为d1(MgF_2)=97.6 nm,d2(TiO_2)=40.2 nm,d3(SiO_2)=4.9 nm;对于SiO_2/TiO_2/SiO_2(钝化层),最佳膜厚参量为d1(SiO_2)=85.1 nm,d2(TiO_2)=43.4 nm,d3(SiO_2)=1.8 nm。