摘要：通过调节椭圆芯光子晶体光纤(PCFs)孔直径和孔间隔,以甲基丙烯酸甲酯(MMA)作为基材,采用本体聚合的方法,研制出2种不同保偏(PM)程度的PCFs预制棒,并采用二次拉伸方法得到2种参数结构的样品,进而针对不同的样品进行PM性能和光学性质测试研究,实验给出椭圆芯PM-PCFs最优化的设计参数。

摘要：针对n次λ-Bézier曲线造型中的复杂曲线难以用单一曲线来构造的问题,研究了该曲线光滑拼接时的连续性条件。通过分析λ-Bézier曲线的基函数及其端点性质,给出了相邻两段λ-Bézier曲线间C1、C2和G1、G2光滑拼接的充要条件;最后,给出了λ-Bézier曲线光滑拼接的具体步骤与几何造型实例,并分析了形状参数对拼接后曲线形状的影响规律。实例结果表明,所提方法不仅易实现且简单有效,在工程复杂曲面的构造与外形设计中将有一定的应用价值。

摘要：针对机械臂动力学模型参数不确定性与速度信息不精确影响轨迹跟踪精度的问题,提出一种多传感器信息融合的机械臂参数自适应轨迹跟踪控制方法。首先将未建模动态视为系统内部干扰,简化机械臂动力学模型;其次采用反步控制方法为机械臂系统设计控制律,并为动力学模型中不确定参数设计自适应律;最后考虑使用单一位置传感器的差分值或转速计的测量值作为速度信息可靠性低的问题,通过多传感器信息融合方法为控制器提供更精确的速度信息。仿真与实验结果表明:采用融合速度信息能够提高所提控制方法的精度与稳定性,速度信息的精确性提升7%;与反步控制方法、自适应控制方法相比,所提控制方法具有更好的机械臂轨迹跟踪控制性能,轨迹跟踪误差分别降低了30%、50%。

摘要：根据FIR数字滤波器设计的基本原理,利用MATLAB实现数学逼近理论,分别对窗函数、频率取样和切比雪夫等波纹优化设计三种FIR数字滤波器的设计方法进行模拟仿真.三种结果的比较发现,在同样阶数下,优化设计可以获得最佳的频率特性和衰耗特性,具有通带和阻带平坦,过渡带窄等优点。

摘要：针对传统级联型ΔΣ调制器中运算放大器(OTA)增益要求过高和功耗过大的问题,提出了一种用反相器实现积分的级间反馈级联型低压低功耗调制器。该调制器采用带有级间反馈的级联型结构,从系统上消除了传统级联结构中传递函数失配的风险,大大降低了模拟积分器的设计要求,不再需要高电源电压、高增益的OTA实现积分来保证传递函数的精确性。此外,采用低增益、低功耗的C类反相器实现积分功能,节约了芯片功耗和面积,用0.5μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一个两级级联的四阶ΔΣ调制器,仿真结果表明,所设计的调制器版图核心面积仅为858μm×525μm,调制器可工作在低至1.4V的电源电压下,在信号带宽为3.9kHz、过采样率为128的情况下,信噪失真比(SNDR)最大为99.8dB,平均电流消耗仅为58.6μA。该调制器适用于低频信号的高精度处理,具有低压低功耗优势。

摘要：针对超低频信号测量装置对模数转换器(ADC)的高精度、低功耗和小面积要求,提出了一种带有斩波稳零(CHS)和自校准技术的增量式模数转换器(I-ADC)。I-ADC带有复位操作,可避免超低频信号带来的模式噪声。为了尽量降低功耗和芯片面积,I-ADC采用一阶结构,并通过增加一定的转换时间来实现14bit的转换精度。该I-ADC采用斩波稳零技术来消除运放低频噪声和失调对其精度的影响,I-ADC的系统失调则采用上电自校准技术来消除。采用DongBu 0.5μm BCD工艺完成了I-ADC电路及其调制器版图的设计。仿真结果表明:在-156.25~156.25 mV输入范围内,I-ADC转换误差的绝对值最大为21μV,微分非线性误差的绝对值最大为0.12bit,积分非线性误差的绝对值最大为0.21bit,调制器的平均电流消耗仅为20μA;调制器的版图面积仅为150μm×310μm;所设计的I-ADC可满足锂电池电量计等超低频测量系统所需的14bit转换精度,并具有显著的低功耗和小面积优势。

摘要：以典型圆锥台作为研究对象,由材料的变形机理出发,解析制件整体精度的机理和主要影响因素。采用Box-Behnken设计(BBD)试验方法,对主要影响因素中的工具头直径、层间距、板厚、成形角设计四因素三水平曲面响应试验,建立两个方向上几何误差的二阶响应模型,得到工艺参数对制件在水平方向和垂直方向上精度的单一及交互影响规律。最后,利用响应模型对两个方向几何误差进行同步最小优化,得到制件整体精度最优时的工艺参数组合:工具头直径6 mm、层间距0.5 mm、板厚1 mm、成形角45°,此时两个方向的几何误差分别为1.914 6 mm和-0.157 mm,实现了制件整体精度的工艺优化和稳健控制。

摘要：针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。

摘要：单点增量成形过程中的变形能对加工成本控制及工具头与材料之间的热效应和摩擦效应有直接影响。以典型圆锥形制件为研究对象,采用BBD实验方法,设计四因素三水平实验方案,利用响应面法研究工具头直径d、层间距Z、板厚t和成形角α对变形能的影响,并得到变形能的多元二次预测模型,最后以变形能最小为目标对该模型进行优化。实验结果表明:板厚对变形能的线性影响最显著,随着板厚的增大变形能增大,工具头直径越大所需变形能越大,成形角增大时所需的变形能增大;变形能最小的工艺参数组合是工具头直径4.0mm、层间距0.95mm、板厚0.57mm、成形角45°。

摘要：针对设备运行状态识别与故障预测问题,提出一种基于时变转移概率的隐半Markov模型。该模型将设备历史运行信息融入Markov状态转移概率矩阵的估计过程中,使Markov状态转移概率矩阵具有时变特性。基于改进前向后向算法研究了相应的隐半Markov模型参数估计方法,使其能够不断综合利用历史运行信息进行自我更新,以更加符合设备真实运行的过程。同时以该模型为基础,利用故障率方法建立了对设备剩余使用寿命进行预测的基本步骤。通过某滚动轴承运行状态识别实例演示了该模型的建模过程,证明了基于该模型的设备状态识别与预测方法比传统隐半Markov模型方法更为有效。