摘要：针对多输入多输出(MIMO)雷达正交波形设计中数值优化方法所得波形脉冲压缩旁瓣较高的问题,该文提出一种基于Golay互补序列空时编码的设计方法。该方法利用Golay互补序列的互补性,并通过对序列构成的脉冲串进行扩展的空时编码,减小了波形的自相关旁瓣和互相关,从而降低了脉冲压缩波形的旁瓣;然后,为解决多普勒频移导致波形检测性能下降的问题,利用零空间向量加权法对脉冲压缩后波形进行多普勒补偿,显著提高了其目标检测能力。仿真结果验证了该文方法的有效性。

摘要：基于单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构构造出一种一维离散混沌系统.研究了单电子晶体管与金属氧化物半导体串联混合结构的电压传输特性,并建立了相应的N型分段线性函数模型、基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数谱等动力学特性.最后利用单电子晶体管与金属氧化物半导体混合电路设计出该离散混沌系统的电路结构,仿真验证与理论分析一致.研究结果表明,利用单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构设计的离散混沌电路不仅结构非常简单,功耗很低,而且有利于混沌系统的集成和应用.

摘要：利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因.基于(100)Si基应变PMOS反型层E-k关系,拓展应用该模型,首先获得了(100)Si基应变PMOS反型层价带第一子带等能图,然后给出了(100)Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型.本文的模型方案合理可行,可为Si基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.

摘要：采用玻尔兹曼输运方程与密度泛函计算相结合的方法,理论研究了限域效应与界面效应对SrTinO_3纳米陶瓷热电性能的影响.理论计算的结果表明,室温下纳米陶瓷的热电优值较单晶有了大幅度提高,可达到0.8.热电优值的提高主要来源于晶粒内的声子限域效应与电子在晶界处的界面能量过滤效应,电子的限域效应与声子的界面散射效应起到了辅助作用.本文结论也可推广至其他材料,因此对高性能热电纳米陶瓷的设计将起到积极的作用.

摘要：锥束CT具有高效率和高精度的显著特点,在医学成像与工业无损检测等领域已得到广泛应用,但余晖的存在降低了CT图像的质量.本文借鉴余晖多指数衰减模型的思想,结合平板探测器输出信号的实际衰减规律,提出了一种新的基于多指数拟合的余晖衰减建模及校正方法.首先进行了基于平板探测器的锥束CT成像实验,结果表明平板探测器各像素的余晖衰减规律具有良好的一致性,且余晖衰减规律与初始灰度的大小无关;其后根据建立的余晖衰减模型实现了余晖的快速校正,并分析比较了余晖校正前后投影图像和切片图像质量,表明余晖校正后的零件轮廓清晰度得到了显著提升.该方法无需获取探测器闪烁体成分及其衰减时间常数,便于实际锥束CT成像系统的余晖检测与校正.

摘要：端点融合是手绘草图规整过程中尤为重要的一个环节,其对于草图的最终规整结果也影响甚大.针对现有手绘平面立体投影图的端点融合方法的不足,提出一种基于角度直方图的融合方法.首先根据拟合后草图笔画的角度信息得到相应的角度直方图,并对笔画进行平行处理;然后利用容差圆判定聚类笔画,得到若干组聚类端点;再根据"坐标系-权重准则"确定各组聚类端点的融合顺序;最终在保证笔画平行关系的前提下,对各聚类端点按照其相应的权重顺序进行融合处理.通过自主开发的FSR_EF原型系统对文中方法予以验证并与现有方法进行比较,结果证明,该方法可以有效地解决现有端点融合方法存在的问题,也达到保留用户最初输入意图的目的,同时为进一步实现3D物体投影图的重构工作奠定了基础.

摘要：本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析,并用二维器件仿真工具ISE进行了验证.结果表明,源电压越大,阈值电压值越小;栅长所占比例越大,阈值电压值越小,硅层厚度越小,阈值电压值越小.本文提出的模型与ISE仿真结果一致,也与文献报道符合.这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.

摘要：基于对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅功函数的分析,通过求解Poisson方程,获得了Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应器件(NMOSFET)垂直电势与电场分布模型.在此基础上,建立了考虑栅耗尽的Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变Si NMOSFET的阈值电压模型和栅耗尽宽度及其归一化模型,并利用该模型,对器件几何结构参数、物理参数尤其是Ge组分对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅耗尽层宽度的影响,以及栅耗尽层宽度对器件阈值电压的影响进行了模拟分析.结果表明:多晶耗尽随Ge组分和栅掺杂浓度的增加而减弱,随衬底掺杂浓度的增加而增强;此外,多晶耗尽程度的增强使得器件阈值电压增大.所得结论能够为应变Si器件的设计提供理论依据.

摘要：近年来,我国有很多陈旧的建筑外墙亟待翻新。前期研究开发出一款双组分的水性底面合一涂料,然而存在色差难以控制、施工时间受限、双组分之一的粉料组分易出现受潮等问题。因此,特设计一款单组分水性多功能涂料,可以很好地解决上述问题。结果表明:该涂料耐洗刷性测试5 000次无异常;透水性测试为0.4 mL;涂膜的抗泛碱性和抗盐析性测试均为72 h无异常;水性多功能涂料在水泥基材上无处理的粘结强度最大为2.7 MPa,碱处理的粘结强度最小为1.4 MPa,粘结强度保持率(1.4/2.7)为52%;潮湿处理之后,水性多功能涂料在平整釉面瓷砖粘结强度保持率(3.1/4.3)为72%,非平整釉面瓷砖粘结强度保持率(2.6/3.4)为76%。该水性多功能涂料不仅同时达到了外墙涂料底漆和面漆的性能要求,又在一些极端环境条件的基材上具有一定的柔韧性和良好的附着力,应用前景良好。

摘要：具有超衍射极限尺寸的空间结构光在远场超分辨成像、光镊、微纳米加工等领域都有着重要的应用.本文基于偏振光的相位调制原理,结合光学实验与光场数值模拟开展了在空间生成具有超衍射极限尺寸的空间结构光的研究.首先设计了一种兼备圆形π与涡旋形2π相位板特点的新型相位板,并且实验观察到了高数值孔径系统中新型相位板调制圆偏振高斯光的焦点处的空间结构光形貌.随后通过结合矢量衍射积分理论的数值模拟,得出了一种具有超衍射极限尺寸、且同时呈现中心对称与轴对称的空间结构光.最后,本文详细讨论分析了新型相位板调制圆偏振光、线偏振光、径向偏振光以及角向偏振光所获得的空间结构光分布特点.结果显示,圆、线、径向与角向偏振条件下得到的空间结构光横向最小暗斑的半高全宽分别为0.31λ,0.32λ,0.24λ和0.36λ;在光轴上,线、径向与角向偏振光情况下的中心暗斑的半高全宽分别为0.8λ,0.78λ,0.76λ,而圆偏振光在轴向方向没有电矢量分布.