摘要：介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。

摘要：介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。

摘要：介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。

摘要：采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。

摘要：相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用PCI控制卡控制继电器两个方面提出了解决方案,并进行了相应的硬件电路和软件设计;结果发现非晶化操作时脉冲信号下降速度加快,并且消除了信号的失真;改善后的测试系统对器件一致性的参数的提取发挥了重要作用,为芯片的电路设计奠定了基础。