摘要：通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管(LED)器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因。对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降。所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率。结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20%.

摘要：为了提高Ga N基LED的发光效率,缓解LED在大电流注入下的效率下降的问题,我们采用在传统的u型Ga N垒层中插入7 nm的P型层的方法来改善多量子阱层中的空穴分布,提高载流子的辐射复合速率。实验结果表明:在垒层中插入7 nm的P型层使得LED中空穴的分布更加均匀,载流子的辐射复合速率提高了20%。同时器件在200 m A的注入电流下内量子效率提高了36.3%,发光功率从100 m W提高到140 m W。