摘要：高性能超级电容器电极材料的开发对于缓解当前的能源危机势在必行,设计和优化混合过渡金属氧化物并研究电化学性能和循环寿命对于超级电容器的实际应用至关重要。在已开发的混合过渡金属氧化物中,由于电活性材料的导电率差并且与电解质的接触受限制,大大限制了所制备电极的电化学性能。我们在本文中提出了一种合成石墨烯/CoMoO_(4)纳米片的有利设计,使活性材料均匀生长在三维石墨烯泡沫的网状骨架上,充分提高了活性材料的利用率,其独特的结构也增加了电活性材料与电解质界面之间的接触,使赝电容反应充分发生。由于石墨烯的高电子传输速率和CoMoO_(4)纳米片的高活性,三维复合电极具有出色的电化学性能,具有相对较高的面积比电容(在1 mA cm-2下为2737 mF cm-2)和出色的循环稳定性(在10 mA cm-2下进行4000次循环后,保留原始比电容的81.76%)。这些出色的结果表明,石墨烯/CoMoO_(4)纳米片复合材料具有巨大的潜力,可作为高性能超级电容器的电极材料。

摘要：聚酰亚胺(PI)广泛应用于电子集成电路的绝缘材料领域。随着电子通信行业的不断更新换代,信号传输频率逐渐往高频发展(例如5G通讯),为了满足信号传输速度快、介电损耗低的要求,需要不断地降低印刷线路板(PCB)绝缘材料的介电常数。常规聚酰亚胺介电常数偏高,不适合直接用于PCB的绝缘材料,为满足未来5G高频通信要求,必须对其进行改性,因此本文综述了低介电常数聚酰亚胺改性的研究进展,并对其进行了展望。

摘要：AltaRica是一类面向复杂安全关键系统的建模语言,卫士转换系统(Guarded Transition System,GTS)是最新的AltaRica 3.0的执行语义模型。AltaRica 3.0层次结构语法模型中类的平展化是将AltaRica 3.0语法模型转换为等价的平展化GTS语义模型过程中的一个重要步骤。文中提出了一种AltaRica 3.0模型中类的平展化优化方法。首先,设计专用的数据结构来存储AltaRica 3.0模型中类的语义结构,并对原有的ANTLR(Another Tool for Language Recognition)元语言描述的AltaRica 3.0模型颗粒度进行重新精化和定义;其次基于ANTLR生成相应的词法和语法分析器,并自动构造输入模型的语法树,通过对语法树的遍历,取得细粒度的类的关键信息并进行存储;然后设计了专用的算法,高效地实现了类的平展化过程;最后通过实例系统的分析,验证了所提方法的正确性和有效性。

摘要：以不同烷基侧链的N-乙烯基咪唑类离子液体为单体,设计合成了3种具有pH/盐双敏感性的交联网状孔洞结构的聚咪唑类离子液体凝胶(PC_(n)vimBr,n=2,4,6)。在微观结构、溶胀特性和刺激响应行为研究基础上,探讨了侧链微增长对聚离子液体凝胶结构与性能的调节控制,并根据凝胶的构效关系情况进行相应药物的体外控制释放研究,研究表明,PC_(n)vimBr凝胶具有良好的pH/盐刺激双响应性以及溶胀可逆性。在pH=7.4的弱碱性环境下,三种聚离子液体凝胶均具有较强的敏感性及溶胀可逆性,其中PC_(2)vimBr凝胶的pH响应性最为敏感,其平衡溶胀率高达1422.3%。同时,以NaCl盐溶液为模拟模型,相对而言,PC_(2)vimBr凝胶在弱碱性条件下具有良好的盐敏感性。此外,结合人体肠道呈弱碱性特点,以肠道杀菌药物环丙沙星(CIP)为载药模型,在pH=7.4时药物控制释放的体外模拟实验研究发现,PC_(2)vimBr凝胶10 h内的累积释放率为67.78%,是PC_(4)vimBr、PC_(6)vimBr凝胶的1.42和3.38倍,这与pH/盐刺激双响应性的研究结果一致。因此,烷基侧链微增长对凝胶结构具有较强的调控作用,pH/盐双敏感性的PC_(2)vimBr凝胶在肠道杀菌药物的控制释放具有潜在的应用价值。

摘要：安全关键软件需求中的相关知识大多需要手工提取,既费时又费力。近年来,人工智能技术逐渐被应用于安全关键软件设计与开发过程中,以减少工程师的手工劳动,缩短软件开发的生命周期。文中提出了一种安全关键软件术语推荐和需求分类方法,为安全关键软件需求规约提供了基础。首先,基于词性规则和依存句法规则对候选术语进行提取,通过术语相似度计算和聚类方法对候选术语进行聚类,将聚类结果推荐给工程师;其次,基于特征提取方法和分类方法将安全关键软件需求自动分为功能、安全性、可靠性等需求;最后,在AADL(Architecture Analysis and Design Language)开源建模环境OSATE中实现了原型工具TRRC4SCSTool,并基于工业界案例需求、安全分析与认证标准等构建实验数据集进行了实验验证,证明了所提方法的有效性。

摘要：树形结构作为一种非线性数据结构,在程序执行过程中的演变过程较为抽象,尤其是在对其进行加工型操作时,容易发生内存泄漏。针对编程初学者难以掌握树形结构的逻辑演变过程,以及在程序中发生内存泄漏错误时调试较为困难的问题,文中提出了一种对程序调试过程中树形结构的演变过程进行可视化呈现的处理模型TEVM(Tree Evaluation Visualization Model)。针对单个可视化程序在调试步骤前和调试步骤后的两个树形结构,设计了一种将树形结构转换为线性表示的结构对比算法,得出了它们的包括泄漏树在内的结构差异;同时设计了一种树形结构布局方法,并计算它们的布局差异。根据结构差异和布局差异生成可视化演变序列,调用绘图引擎对该序列进行解析和执行,从而完成对树形结构及其演变过程的动态、平滑和直观的可视化呈现,帮助编程初学者快速理解树形结构相关程序的执行过程,提升调试效率。将TEVM模型集成于一个面向编程实训教学的集成开发环境原型Web AnyviewC中,取得了较好的应用效果。

摘要：因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注。但关于SnSe薄膜研究的报道较少。本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到Si/SiO_(2)基底得到SnSe薄膜,分析了沉积温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响。结果显示:沉积温度升高,晶粒尺寸相应增加,薄膜的结晶质量也随之提高。在573 K的沉积温度条件下,能获得高结晶质量和良好化学计量比的(111)取向SnSe薄膜,该薄膜具有约为1.25μW/(cm·K^(2))的最大功率因子(PF)。当沉积温度升高至773 K时,可以得到具有超高迁移率和赛贝克系数的(400)织构SnSe薄膜,该薄膜在573 K的测试温度下,其最大PF为0.5μW/(cm·K^(2)),实现接近于文献报道的相同温度下单晶SnSe沿a轴的PF。本研究的结果证明了高沉积温度对SnSe薄膜微观结构和热电性能调控的重要性,并且为通过设计和调控SnSe基薄膜有序结构来提升其热电性能提供了新的研究思路。

摘要：克隆代码研究与软件工程中的各类问题密切相关。现有的克隆代码稳定性研究主要集中于克隆代码与非克隆代码的比较以及不同克隆代码类型之间的比较,少有研究对克隆代码的稳定性与克隆群所分布的面向对象类进行相关分析。基于面向对象类的粒度进行了克隆群稳定性实证研究,设计了4项与克隆群稳定性相关的研究问题,围绕这些研究问题,将克隆群分为类内、类间和混合3组,并基于4种视角下的9个演化模式进行了克隆群稳定性的对比分析。首先,检测软件系统所有子版本中的克隆代码,识别并标注所有克隆代码片段所属的类信息;其次,基于克隆片段映射方法完成相邻版本间克隆群的演化映射和演化模式的识别与标注,并将映射和标注结果合并为克隆代码演化谱系;然后,在不同视角下,针对3组克隆群进行稳定性计算;最后,根据实验结果对比分析了3组克隆群的稳定性差异。在7款面向对象开源软件系统总共近7700个版本上进行的克隆群稳定性实验结果表明:约60%的类内克隆群的生命周期率达到50%及以上,类间克隆和混合克隆群的生命周期率达到50%及以上的占比均约为35%;类内克隆群发生变化的次数最少,类间克隆群发生合并、分枝和延迟修复演化模式的次数相对略多,混合克隆群发生片段减少、内容一致变化和不一致变化的次数最多。总体而言,类内克隆群的稳定性表现最佳,混合克隆群在演化中可能需要重点跟踪或优先重构。克隆代码稳定性分析方法及实验结论将为克隆代码的跟踪、维护以及重构等克隆管理相关软件活动提供有力的参考和支持。