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Design and analysis on four stage SiGe HBT low noise amplifier
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《High Technology Letters》2015年 第3期21卷 358-363页
作者:井凯 Zhuang Yiqi Li Zhenrong Lin ZhiyuDepartment of MicroelectronicsXidian University State Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor 
Focusing on the linearity shortcoming on a bipolar low noise amplifier(LNA),a new 6 ~14GHz four stage SiGe HBT LNA is *** amplifier adopts a method of gain allocation on multiple stages to avoid the limitation on line...
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利用Volterra级数的低噪声放大器线性增强设计
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《四川大学学报(工程科学版)》2014年 第S1期46卷 171-176页
作者:井凯 庄奕琪 李振荣西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 
针对单级宽带低噪声放大器(LNA)非线性难以定量分析及难以将电路与线性指标联合设计的问题,提出利用Volterra级数和双极非线性模型相结合的方法优化电路线性度。该方法从SiGe双极管非线性模型出发,提取影响线性度的模型参数,并利用维塔...
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