摘要：具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH_3NH_3Pbl_3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH_3NH_3Pbl_3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7×10^(-5)cm^2·V^(-1)·s^(-1),此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH_3NH_3Pbl_3多晶薄膜的SiO_2底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的性能有强烈影响。与底栅结构CH_3NH_3Pbl_3多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW·cm^(-2)的光照仍可使CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(V_(GS)(栅源电压)=V_(DS)(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5 A·W^(-1)。本文工作实现了对CH_3NH_3Pbl_3场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH_3NH_3Pbl_3同样具有制备成双极性晶体管的潜力。