摘要：采用原位合成的方法设计并制备了sic-BN复合陶瓷.通过热力学计算,选择了制备sic-BN复合陶瓷的反应方程式,并通过进一步的计算,选择合适的烧结工艺保证了反应方程式Si3N4+B4C+2C=3sic+4BN不会受到副反应的影响.通过实验验证此反应在1700℃能够反应完成,生成β-sic和h-BN.

摘要：以高岭土、超细碳粉为原料,采用碳热还原方法合成出性能良好的β—sic晶须,并研究了碳粉加入量、烧成温度对β—sic晶须产率的影响。结果表明,烧成温度1500～1600℃,碳粉加入量4～10％(wt)为较好的晶须合成条件。该方法制备β—sic晶须的生长机理为“VS”机理。

摘要：实验采用α-sic、β-sic粉体为原料,B4C为烧结助剂,热压烧结制备sic陶瓷。以烧结温度、保温时间、烧结压力为影响因素,设计正交试验,分析三者对sic陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。研究结果表明:在烧结温度1900℃、保温时间60 min及烧结压力50 MPa的烧结条件下可以获得致密度为99.2%的sic陶瓷,当添加10%的β-sic后,陶瓷生成大量长柱状颗粒,同时断裂韧性和抗弯强度亦有所提高,但因固相烧结不存在弱界面结合,故对sic陶瓷整体性能的增强有限。