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FED下基板制作工艺及介质的耐压特性研究
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《光电子技术》2010年 第2期30卷 94-96,101页
作者:张斌 唐李晟 李军 赵莉 丁兴隆彩虹集团公司(北京)技术中心北京100085 
在制作场发射显示器(FED)下基板的工艺过程中,设计了两种方案来制作下基板的阴栅极,用扫描电镜观察所得样品的横截面,并计算出各结构尺寸,分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法,测试介质在中性溶...
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