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基于GaN的3.4~3.6 GHz高增益Doherty功率放大器: 收藏
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引用; 《微波学报》2021年第6期37卷 35-40,47页; 作者：周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心北京100029; 基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补...; 基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3.4~3.6 GHz工作频段内,饱和输出功率在44.5 dBm以上,功率饱和工作点PAE在43.9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7.5 dB,功率附加效率PAE为36.8%以上,功率增益在31 dB以上。; 来源：详细信息评论

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