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检索条件"主题词=二次电子产额"
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二次电子发射对质子束流测量精度的影响
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《强激光与粒子束》2014年 第9期26卷 239-243页
作者:张忠兵 陈亮 阮金陆 刘金良 欧阳晓平 叶鸣 贺永宁 刘军 刘林月西北核技术研究所西安710024 西安交通大学电子与信息工程学院西安710049 
二次电子发射直接影响法拉第探测器测量质子束流的精度,减小或消除二次电子发射的影响是提高束流测量精度的关键.根据二次电子补偿原理设计了二次电子补偿型同轴法拉第探测器,实验发现探测器测量质子束流强度时不能完全实现二次电子补偿...
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高能质子束流强度绝对测量的二次电子补偿原理研究
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《物理学报》2010年 第8期59卷 5369-5373页
作者:张忠兵 欧阳晓平 夏海鸿 陈亮 王群书 王兰 马彦良 潘洪波 刘林月西北核技术研究所西安710024 中国原子能科学研究院北京102413 
高能质子入射到金属接收体表面诱发的二次电子直接影响束流强度的测量精度,如何消除二次电子影响是实现束流高精度测量的关键.根据高能带电粒子在金属表面诱发二次电子发射理论,对高能质子束流强度测量的二次电子补偿原理进行了研究,设...
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三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究
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《中国空间科学技术》2020年 第3期40卷 1-7页
作者:张娜 崔万照 曹猛 王瑞 胡天存中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室西安710100 西安交通大学物理电子与器件教育部重点实验室西安710049 
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制...
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