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检索条件"主题词=互补型金属氧化物晶体管"
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基于等效小参量法的CMOS LC振荡器特性分析
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《半导体技术》2009年 第6期34卷 582-585,601页
作者:涂用军 丘水生广东科学技术职业学院广州510640 华南理工大学电信学院广州510640 
建立了描述CMOS LC振荡器特性的二阶非线性微分方程。利用等效小参量法原理导出了原系统的等效线性方程组及其特性解析表达式,得到了交叉耦合MOS特性对振荡器性能的影响,包括起振条件、输出幅度与参数间的解析表达式、振荡器输出频率与L...
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基于温度补偿的1V CMOS电流基准源
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《半导体技术》2008年 第4期33卷 339-342页
作者:朱冬勇 杨银堂 朱樟明 朱文举 徐俊平西安电子科技大学微电子研究所西安710071 
利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS进行温度补偿,使MOS工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectr...
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