摘要：利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。

摘要：介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。

摘要：给出了基于0.25μm CMOS工艺的数字电视调谐芯片中宽带低噪声LC VCO的设计,通过对VCO谐振网络的优化设计,显著抑制了flick噪声对相位噪声的影响,使三个波段的VCO的相位噪声有了明显改善,文中重点讨论了中波段VCO谐振网络的设计方法并给出中波段的相位噪声的仿真和测试结果。结果显示在中波段偏移中心频率10k处的相噪能改善5~10dBc,整个中波段相位噪声低于-85dBc/Hz@10kHz,频率覆盖190~530MHz。

摘要：设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器,该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×10^5/s和0～2×10^5/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性（INL）和微分非线性（DNL）最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仅为2 mA.

摘要：采用0.18μm CMOS工艺设计并实现了1∶2静态分频器。设计中为达到高速率和高灵敏度,对传统的SCFL结构D触发器进行了拓扑及版图优化。测试结果表明,电源电压为1.8V时,该分频器最高工作频率高于10.5GHz,最低工作频率低于2.5MHz(受测试条件限制),输入信号0dBm时的工作频率范围为2.5MHz～9.4GHz,芯片核心功耗9mW,核心面积50μm×53μm。

摘要：设计了一种用于锁相环的低失配CMOS电荷泵电路,采用互补差分输入。互补差分管的使用有效地解决了电荷泵的时钟馈通和电荷注入等非理想现象。同时,利用自举的方法消除了电荷共享现象。在电路和版图的设计中,充分考虑了对称性对电流失配的影响。本电荷泵电路基于新加坡Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,采用Candence中的Spectre仿真工具进行仿真,电源电压为3.3V。测试结果表明,在本芯片需要的各种电荷泵电流下其失配都低于0.65%。本电荷泵电路已应用于射频调谐器当中。

摘要：纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。

摘要：因二维材料的独特性质及其可调谐的光谱响应,基于二维材料的光电探测器受到广泛关注.然而,它们的性能还不够突出,其制造工艺与硅基互补金属氧化物半导体技术工艺流程的兼容性还需要评估.在本文中,我们报道了一种基于二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结构的高性能、空气稳定、自驱动、室温宽带光电探测器.该光电探测器表现出超高的响应度(8.06 AW-1)和比探测率(4.78×10^(13)cm Hz^(1/2)W^(-1))、极低的暗电流(0.12 pA)以及优秀的开关比(1.29×10^(9)).在375,532,1342和1550 nm波长处所测的光电流响应度分别为2.12,5.56,18.12和0.65 m AW^(-1).此外,制造的9×9器件阵列不仅展示了该探测器非常好的均匀性和可重复性,而且还显示了其在紫外-可见-近红外照明成像应用领域的潜力.我们设计的二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结光电探测器极大地抑制了暗电流,提高了二极管的理想因子并增加了界面势垒.因此,它为改善光电探测器性能的设计提供了一种新策略.

摘要：基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short—Open—Load—Thru（SOLT）校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0．1～40GHz范围内，测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。

摘要：采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。