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一种双向、数字式微型无线内窥镜系统设计
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《固体电子学研究与进展》2007年 第1期27卷 123-129页
作者:谢翔 李国林 张春 王志华清华大学电子工程系北京100084 
通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,...
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1.25Gb/s低功耗CMOS光接收机限幅放大器
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《固体电子学研究与进展》2004年 第3期24卷 313-317页
作者:田俊 王志功 梁帮立 胡艳 章丽 熊明珍 施毅 郑有炓东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京大学物理系南京210093 
设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器。电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点 ,通过直接耦合技术来提高增益、降低功耗。测试结果表明 ,在从 5 m Vp- p到 5 0 0 m Vp- p,即40 d B的输入动态范围内 ,...
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基于标准CMOS工艺的光敏传感单元结构的研究
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《固体电子学研究与进展》2005年 第3期25卷 329-334页
作者:周鑫 朱大中 孙颖浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所杭州310027 
基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响.研究了包括传统N+/P衬底的光敏管结构,以及网格状N+/P衬底,N阱/P衬底,网格状N...
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一种基于CMOS工艺的二维风速传感器的设计和测试
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《固体电子学研究与进展》2006年 第1期26卷 96-99,110页
作者:高冬晖 秦明 程海洋 朱昊东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 
给出了一种完全基于CMOS工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果。该传感器采用恒温差工作模式,热堆输出电压平均值反映芯片温度和环境温度的差,省去了测温二极管。风速测量采用热损失型原理.因...
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一种非对称射频开关芯片的设计
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《固体电子学研究与进展》2012年 第2期32卷 135-140页
作者:朱红卫 周天舒 刘国军 李丹 胡冠斌上海华虹NEC电子有限公司上海201206 
采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用...
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医疗植入式无线传感系统的低功耗接收机电路设计
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《固体电子学研究与进展》2018年 第6期38卷 446-450,464页
作者:李华英 王振南昌航空大学科技学院南昌330034 
针对医疗植入式无线传感系统低电压、低功耗和小尺寸的需求设计了一种接收机电路。所设计的接收机电路能工作于0.5V电源电压下,有利于充分利用无线采集能量;提出一种可调式比例因子检波器,有利于平衡功耗和敏感度性能;匹配网络采用可编...
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适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器
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《电子器件》2004年 第2期27卷 224-227页
作者:孟凡生 朱恩 孙玲 程树东 王志功东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 
给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 ...
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低压CMOS带隙电压基准源设计
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《固体电子学研究与进展》2005年 第2期25卷 246-249,264页
作者:朱磊 杨银堂 朱樟明 付永朝西安电子科技大学微电子研究所西安710071 
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏...
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RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计
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《固体电子学研究与进展》2014年 第1期34卷 46-49页
作者:郑云飞 王一哲 张小苗 罗玲 曾大杰 宋贺伦西安电子科技大学天线与微波国家重点实验室西安710071 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 
为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段,通过对RFLDMOS版图的优化,制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器...
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一种高线性度CMOS混频器的设计
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半导体技术》2007年 第2期32卷 117-120页
作者:吴明明 叶水驰哈尔滨工业大学卫星技术研究所哈尔滨150080 
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0.18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17...
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