摘要：针对GPS接收机易受不同传输距离和多路径衰减效应的影响使得接收的信号强度不固定的问题,基于TSMC0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计一款可变增益放大器:它与脉冲宽度调制式自动增益控制和脉冲宽度译码器组成的自动增益控制电路保证接收信号强度输出的稳定;该电路的核心结构由五位二进制码控制五级级联放大电路来产生不同的增益。仿真结果表明:当电源电压为1.8V时,总的增益最小为14dB,最大可以达到73dB;并且在各个工艺角下增益误差都小于5%,噪声系数为19.68dB;输入1dB压缩点为—22.14dBm。

摘要：基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。