摘要：介绍了基于10Base-T标准接口放大电路的设计。描述了传输信号和设计电路的特性以及整体电路的结构,分别阐述了各个模块的电路设计,其中详细阐述了放大和整形电路的设计。最后给出了整体版图后仿真的结果。

摘要：近年来60 GHz附近的一个连续频段可以自由使用,这为短距离的无线个域网等高速率传输的应用提供了条件。设计了一个工作在60 GHz的CMOS功率放大器。采用台积电0.13μmRF-CMOS工艺设计制造,芯片面积为0.35mm×0.4 mm,最大线性输出功率为11 dBm,增益为9.7 dB,漏极增加效率(ηPAE)为9.1%。达到应用在通信距离为10 m的无线个域网(WPAN)射频电路中的要求。设计中采用了厚栅氧化层工艺器件和Load-Pull方法设计最优化输出阻抗Zopt,以提高输出功率。该方法能较大提高CMOS功率放大器的输出功率,可以应用到各种CMOS功率放大器设计中。

摘要：本文对一款常用任意整数分频器进行改进,提出了一种纯数字、低时钟偏差、可获得任意整数分频结果的时钟分频器设计方案。该分频器由计数器与输出锁存器构成,通过调节逻辑结构与线延迟,完全平衡各时钟传播路径,大幅降低时钟偏差。仿真结果表明,在TSMC0.13μmCMOS工艺下,当输入时钟频率在600MHz时,时钟偏差可控制在10ps以内。该分频器还包含自测电路,可判断时钟偏差是否满足要求。

摘要：设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。

摘要：卫星在轨飞行期间,星载电子器件将不可避免地遭受空间带电粒子的辐射,随着半导体技术的不断进步,电子器件的单粒子效应敏感性越来越高,已经成为一个影响其可靠性的重要因素。互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOS APS)光电器件因其低功耗、小体积和微重量的优点已成为遥感卫星成像的重要发展方向。为获取CMOS APS光电器件在遭受带电粒子辐射后性能变化的特征,在分析SOI MOSFET(Silicon on Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)结构和特性的基础上,通过理论分析和数值模拟,分析了重离子在CMOS APS光电器件中引起的辐射损伤,分析晶体管和光电二极管的电荷收集机理。通过TCAD(Technology Computer Aided Design)模拟了电荷收集过程,分析了影响漏电流变化的直接因素,获得了重离子LET(Linear Energy Transition)值、入射位置以及器件偏置电压与漏电流的相互关系,为后续CMOS APS的重离子模拟试验以及抗辐射加固设计提供了理论支撑。

摘要：设计了一个共源-共源共栅的两级低噪声放大器,并且在两级之间采用了串联谐振回路来提高电路的性能。该电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺,电源电压为1.8V。仿真结果显示,在2.45GHz的中心频率上,该电路能够提供26.92dB的正向增益及很好的输入输出匹配,噪声系数为0.88dB,功耗为14.49mW,1dB压缩点为-9dBm。

摘要：在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。

摘要：设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标。结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24~2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%。

摘要：分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构，指出其存在的缺陷及如何改进，即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg，同时移除源极负反馈电感Ls。应用这种改进型输入匹配结构，基于0．18μm BSIM3模型设计了工作频带为5．1—5．8GHz的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明，虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响，但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片面积。

摘要：传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源。电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5μm CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化。仿真结果表明,带隙基准电压源在-15~80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84×10-6/℃,在1.8~5 V电路均可正常工作。流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求。