摘要：为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。

摘要：论述了一种高速度低功耗的8位250 MHz采样速度的流水线型模数转换器(ADC)。在高速度采样下为了实现大的有效输入带宽,该模数转换器的前端采用了一个采样保持放大器(THA)。为了实现低功耗,每一级的运放功耗在设计过程中具体优化,并在流水线上逐级递减。在250 MHz采样速度下,测试结果表明,在1.2 V供电电压下,所有模块总功耗为60 mW。在19 MHz的输入频率下,SFDR达到60.1 dB,SNDR为46.6 dB,有效比特数7.45。有效输入带宽大于70 MHz。该ADC采用TSMC 0.13μm CMOS 1P6M工艺实现,芯片面积为800μm×700μm。

摘要：针对当前工业相机无法满足机载使用环境和可定制化指标的需求,设计了一款基于FPGA的机载CMOS成像系统。本系统具备1路高清数字DVI接口(1080P)和1路标准PAL制模拟接口,具有自动曝光、低温加热等功能,能够实时、清晰、稳定地输出视频图像。介绍了系统的总体构架、光学与结构设计、硬件电路设计以及FPGA逻辑设计,描述了主要模块基本工作原理、算法流程及设计方法,完成了系统的基本功能测试和试验。经过试验验证,可在宽温(-45℃~+70℃)下稳定工作,满足机载使用要求。

摘要：SiGe工艺可给模拟电路设计者提供大电压低噪声的快速晶体管,而BiCMOS SiGe则适合于CMOS工艺流程。

摘要：提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0.6μm的n阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V电池充电禁止等功能,可用于单节锂离子电池充电的一级保护。

摘要：为提升机载紫外告警传感器性能,设计了一款基于ICMOS构架的紫外告警传感器。该型传感器工作波长覆盖250~270 nm,可通过RS422接口上传告警目标信息,具有超广角、高角分辨率、灵敏度高、重量轻、功耗低等优点。对传感器的技术指标、工作原理和设计构架等方面进行了介绍。完成了传感器的基本功能、性能测试,经环境试验验证,满足机载使用要求。

摘要：应用台积电(TSMC)0.18μ m CMOS工艺模型,设计了一种2.4GHz全集成低噪声放大器。通过ADS(Ad-vanced Design System)软件对电路进行了优化设计,仿真结果表明在1.8V电源电压下,工作电流约为6mA,输入输出匹配良好,在2.45GHz的中心频率下,它的噪声系数(NF)为2.605dB,增益(S21)为20.120dB。

摘要：设计了一种基于TSMC 0.18 pm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放 大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同在整个频带内实现很好的输入端匹配.电路 采用ADS2009软件仿真设计.仿真结果表明,在1.8 V电源供电时,整个电路功耗为15.6 mW,在 3.1 - 10. 6 GHz 的频带内噪声系数 NF 为 1.284 5 ±0.340 5 dB,正向增益S21 为 21.451 ± 1.5 dB, 输入回波损耗均低于-15.14 dB,输出回波损耗低于-20. 202 dB.

摘要：提出了一种低电压压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)型模/数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)的设计方法。设计采用180 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,包含两个VCO-ADC子通道的分裂式ADC,每个通道均采用差分结构。利用伪随机方式分别为两个通道加入相差为180°的正、负扰动信号,使用查找表方法对带有扰动信号的数字输出进行校准,以提高VCO-ADC的精度。仿真结果表明,当电源电压为0.8 V、输入信号频率为834.96 Hz、采样速率为5 kS/s时,电路有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为11.38 bit,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)达到78.21 dB。工作电压较低,电路面积和功耗较小。

摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。