摘要：极度微型化的微/纳真空器件要求专门的封装技术。论文综述了适用于微/纳真空器件封装的真空键合和电极互连技术,同时系统分析了一些相关技术,包括实现真空获得与维持的微型、可集成真空泵技术和非蒸散、薄膜吸气剂技术,监测器件工作环境的真空度测量技术,以及检测器件封装的真空检漏技术等。分析结果对微/纳真空器件的设计与工艺实现提供了有益参考。

摘要：网关是解决不同现场总线间互连和互操作问题的重要手段之一。本文提出了一种实现现场总线(FOUNDATION Fieldbus,简称FF)H1与PROFIBUS DP之间网关的原理和方法,并针对所实现的网关设计了互操作测试的方法。

摘要：随着IDC业务流量在互联网带宽流量的比例增大,IDC业务对互联网网络规划的影响也越来越大。针对IDC组网架构和业务特点,建立了一个有效的业务模型,并给出一种快速的规划方法,指导骨干网的互连带宽规划。

摘要：针对某百万机组的高压厂用电接线形式,结合机组停运的各种工况,对高压厂用电源互为备用的方式进行了论述。重点分析了1台机组停运时,停运机组的辅机设备使用运行机组厂用电的可行性。可为同类机组设计、优化阶段提供借鉴和参考。

摘要：随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。

摘要：讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响。基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况。采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制。

摘要：为了充分发挥校园网为学校的教学、科研、信息交流、协同工作的作用,对多个校区的网络互连进行了研究,比较了几种VPN技术,提出了利用GRE over IPSec VPN技术实现多校区网络互连,同时又能保证内部保密数据安全地网络中进行传输。设计了网络拓扑结构,构建了网络实验平台,配置了GRE over IPSec VPN,最终对配置的结果进行了验证。为多校区校园网互连提供了一种安全的解决方案。

摘要：为了降低传输中的损耗,基于聚合物光波导实现光互连以满足系统应用。基于聚合物光波导传输理论,设计了含45°角的传输结构,梳理了制备流程。针对聚合物光波导45°反射面制备难题,通过前处理、包层光刻、芯层匀胶和芯层曝光等技术,获得线宽精度高和传输损耗低的光波导结构。通过对该结果测试表明,传输特性满足使用要求,可作为通信的重要手段。

摘要：随着FPGA的发展,FPGA测试技术也得到了相应的发展。因为FPGA的结构和传统专用集成电路(ASIC)有着本质的区别,在FPGA中不能形成可测性设计电路,但它的可编程能力决定了其测试电路可以通过编程的方法来实现。本文讨论了Xilinx XC4000系列FPGA中CLB资源和互连资源的自动测试方法。而且提出了一种新的测试资源坐标定位方法,使得由软件仿真向器件真实测试取得了突破。并搭建了硬件测试平台。

摘要：随着超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits，VLSI)的高速发展和深亚微米工艺及多层布线技术的广泛应用，器件的密度急剧增长、工作频率不断增加，使互连寄生效应成为制约电路延迟、功耗以及可靠性等重要性能的瓶颈之一。快速、精确地提取三维互连寄生电容已成为高性能集成电路设计中的一个关键环节，也是VLSI设计自动化领域一个热点课题。近十年来，间接边界元多极加速电容提取算法取得了重要的进展，但离实现全路径全芯片电容提取的目标还有很长距离。